半导体器件物理教学课件作者徐振邦半导体器件物理(第四章）课件.ppt

减小开关时间的途径： （1）掺金 （2）减小发射结和集电结的面积 （3）减小基区宽度 （4）减薄外延层厚度，降低外延层的电阻率 4.3 晶体管的频率特性 4.3.3 晶体管的电流放大系数 1.共基极交流电流放大系数 特征频率 4.3 晶体管的频率特性 2.共发射极交流电流放大系数 直流情况下的关系式 近似成立 可见，共基极电路比共发射极电路频带更宽，常见于宽频和高频电路中。 4.3 晶体管的频率特性 4.3.4 晶体管的极限频率参数 1.特征频率 当工作频率远大于fβ时，工作频率和电流放大系数的乘积是一个常数。可以作为选用晶体管的一个重要参数，也可以用于测量。 增益带宽积 4.3 晶体管的频率特性 2.提高特征频率的途径？ 4.3 晶体管的频率特性 3.最高振荡频率 为了能准确的描述晶体管的功率放大能力随频率的变化，我们定义晶体管的最佳功率增益Gpm,它是指晶体管向负载输出的最大输出功率与晶体管获得的最大输入功率之比。可以证明，晶体管在高频工作时的最佳功率增益为: 当频率很高时，发射极引线电感对功率增益的影响不可忽略，晶体管的功率增益的表达式修正为: 4.3 晶体管的频率特性 可见，晶体管的最高振荡频率主要决定于其内部参数，即晶体管的输入阻抗、输出电容、引线电感及特征频率等。 当晶体管工作频率f等于最高振荡频率fm时 Gpmf2称为功率增益-带宽积。对于特定的晶体管，要想获得较高的功率增益，频带宽度必然减小，要想获得较大的频带宽度，功率增益必然降低。高频优值全面反映了晶体管的频率和功率性能，而且只与晶体管本身的参数有关。因此，高频优值是设计和制造高频功率晶体管的重要依据之一。 4.4 晶体管的功率特性 4.4.1 大电流工作时产生的三个效应 1．基区电导调制效应 特征频率在大注入情况下，注入到基区的电子浓度已经接近或大于空穴的平衡浓度，这时为了维持基区电中性，就必须在基区建立起与注入电子有同样的浓度梯度的空穴浓度分布。在这种情况下，基区空穴浓度将显著增加，从而使基区电阻率明显下降，这种现象称为基区电导调制效应。 基区电阻率的下降会造成发射效率降低，电流放大系数因此下降。 4.4 晶体管的功率特性 2．基区扩展效应 当通过集电极的电流增大时，通过集电结空间电荷区的电子浓度也增大，它的存在，使集电结势垒区的负空间电荷浓度增加了，正空间电荷浓度减少了。如果集电极压降不变，靠基区一侧的负空间电荷区将缩小，而靠集电区一侧的正空间电荷区将往衬底方向扩大。 4.4 晶体管的功率特性 当n=NC时电离施主的正电荷恰好为电子所带负电荷所抵消，此时，集电区外延层不能形成正空间电荷区，正空间电荷区将移到衬底区靠外延层交界处的薄层内同时，基区一侧的负空间电荷区也将进一步缩小。这样，正、负空间电荷将位于集电区外延层的两端，而集电区外延层内则没有净空间电荷，电场强度分布均匀。我们将此时的集电区电流密度称为集电区临界电流密度Jcr 4.4 晶体管的功率特性 基区纵向扩展效应认为，随着IC进一步增大，集电结的电流密度大于Jcr，集电结空间电荷区将向衬底方向移动，使有效基区宽度增大。 基区横向扩展效应认为，集电结的电流密度不能大于Jcr,IC的增加是靠增加电流通道的有效面积来实现的。注入基区的电子流将沿着基区横向散开，这使得一部分电子通过基区的路程加长了，相当于有效基区宽度增大。 基区纵向扩展效应 基区横向扩展效应 4.4 晶体管的功率特性 无论基区是横向还是纵向扩展，最终结果是使有效基区宽度增大。根据： 显然，直流电流放大系数和特征频率都将下降。因此，Jcr是防止基区出现扩展效应的最大集电结电流密度，也是一般平面晶体管的最大电流密度限制。 强场条件下 4.4 晶体管的功率特性 3．发射结电流集边效应 基区存在一定的电阻，当电流流过基区时，将产生平行于结面的横向压降，使发射结偏压从边缘到中心逐渐减小，发射结电流密度也会从边缘到中心逐渐减小。 对于大功率晶体管来说，通常基极电流比较大，所以基极横向压降比较大。因此，发射极电流集边现象就更为显著。由于电流集边效应会使晶体管发射结有效面积变小，从而使得在较小的发射极电流下，通过集电区的电流密度就有可能达到了临界电流密度，出现电流放大系数和特征频率下降的现象。克服集边效应的关键在于减小发射结下面的基区（内基区）电阻。 发射极单位周长的电容量 发射极有效半宽度 4.4 晶体管的功率特性 4.4 晶体管的功率特性 4.4.2 晶体管的最大耗散功率和热阻 耗散功率 散热 当单位时间内管芯上产生的热量和散发出去的热量相等时，管芯温度就达到稳定值。考虑