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P-Si/i-ZnO/n-ZnO(p-i-n)紫外光檢測器之研製 黃勝斌1 謝易臻2 1建國科技大學 電子工程學系 E-mail: sbhwa@.tw 2建國科技大學 電子工程學系 E-mail: zhen199105@ 摘要 以透明電極氧化鋅製作的p-矽/本質（）-ZnO/ n- 氧化鋅（p-i-n）異質接面光檢測器（HPD）比傳統的P型Si/ N-氧化鋅（PN）HPD具有更好的性能。可以明顯發現，在插入i-ZnO層後，能有效降低漏電流2.4x104倍，因此具有比傳統PN HPD的100倍整流比更高的值達6.5x104的整流比。PN HPD在350nm的光響應上並沒有顯著變化。而p-i-n HPD的光電流卻可增加大約一個數量級左右，即p-i-n HPD 比PN HPD具有較高的光 - 暗電流比。另外可觀察到在pn HPD的光響應（R）並不隨反向偏置電壓（V）變化而有太大的變化，但是在p-i-n HPD 中R?V0.9。這結果顯示，在p-i-n HPD的光電流隨反向電壓增加而線性增加且無飽合現象發生。以能帶圖說明350nm的光照射時，HPD載子傳輸現象。 關鍵詞：氧化鋅、異質接面光檢測器Abstract P-Si/intrinsic (i)-ZnO/n-ZnO (p-i-n) heterojunction photodetector (HPD) has been fabricated with the aim of achieving better performance than conventional p-Si/n-ZnO (p-n) HPD. It is evident that the insertion of i-ZnO layer can effectively reduce the leakage current by 2.4x104 times, which leads to a higher rectification ratio of 6.5x104 as compared to the 100 in p-n HPD. Responding to the illumination of 350 nm, the p-n HPD shows no significant variation between dark- and photo-current. In contrast, the photocurrent increases by about one order in p-i-n HPD, resulting in the pi-n HPD exhibits higher photo-to-dark current ratio than the p-n HPD. Also less dependence between responsivity (R) and reverse-bias voltage (V) is observed in p-n HPD, however a dependence of R~V0.9 is achieved in p-i-n HPD. The result demonstrates the photocurrent increases near linearly with bias-voltage and no saturation occurs in the p-i-n HPD. Band-diagram was used to illustrate the carrier transport upon illuminating the 350 nm-light. Keywords: ZnO, heterojunction photodetector (HPD) 一、前言 氧化鋅薄膜(ZnO)具有寬能隙（Eg3.3eV），高的激子束縛能(exciton binding energy, ZnO60meV, GaN≒25meV)成本低、蘊藏豐富、無毒、可低温成長及在H2電漿中比ITO穏定等優點。比起PN ZnO二極體，p-Si/n-ZnO (p-n)異質接面紫外光(UV)檢測器[1-5]具有便宜，可以整合IC製程等優點而逐漸發展起來。但是因為P型ZnO的深層受體能階(deep acceptor levels)、不易摻雜及自我補償等問題[1]，使得P型ZnO並不易製作。因此傳統上以P型矽為基板再成長N型ZnO的紫外光異質接面光檢測器（UV-HPDs）是一種變通的方式，但這樣的UV-HPDs元件的漏電太大且光暗電流比太低。 為了改善上述缺點，我們在p-型矽和n-ZnO之間插入一層i-ZnO來製作p-Si/i-ZnO/n-ZnO (p-i-n) 異質接面光檢測