材料化学11-1综述.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 磁控溅射是70年代迅速发展起来的一种新型溅射技术，与其它技术相比，它具有： 高速（镀膜速度快）， 低温（镀膜时衬底温升小） 低损伤（镀膜时几乎没有高能电子轰击基片造成损伤）等优点， 并且简便，清洁，所需装置也不太复杂。 溅射设备 直流溅射：阴极为靶，阳极起基片的支撑作用 不能对绝缘体进行溅射，即无法获得绝缘体的薄膜。 高频溅射：附加高频电源外，其于同直流溅射。 磁控溅射：在溅射仪中附加磁场，由于洛伦磁力的作用能使溅射速度成倍的提高。 反应溅射：把活性气体混合在放电气体中，以控制所制成的薄膜的组成和性质，主要用绝缘化合物薄膜的制作，避免了化合物制化合物膜时薄膜成分与靶化合物成分的偏差。 离子镀：真空蒸镀与溅射法的结合，利用溅射的清洗作用来清洗基片表面，用真空蒸镀来制备薄膜，特点是薄膜对基片的附着力大，蒸发分子绕射大，可用于齿轮，弹簧等具有复杂形状的物体的镀膜。 3．化学气相沉积（CVD）工艺 　　真空蒸镀及溅射形成的薄膜和原始成分基本上是相近的，用物理过程制备薄膜的方法称为物理气相沉积法（PVD）。 但形成的薄膜材料除了从原材料的组成元素外，还在基片上产生与其它组分的化学反应，获得与原成分不同的薄膜材料，这种有化学反应的气相沉积称为化学气相沉积（CVD）。 采用CVD法制备薄膜是近年来半导体、大规模集成电路中应用比较成功的一种工艺方法，可以用于生长硅、砷化镓材料、金属薄膜、表面绝缘层和硬化层。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Ⅰ．光纤预制棒方法 a．外沉法（OVD）又称径向火焰水解法（RFH） 原理：将卤化物在氢氧焰高温下，发生高温水解反应，生成亚微米级的石英玻璃细粉，并放出盐酸气体，其反应如下.产生的石英微粉，在旋转的成型棒上沿径向逐层沉淀，形成多孔的预制棒。 b．气相轴向沉积法（VAD），又称轴向火焰水解法（AFD） 与OVD法相似，都采用火焰水解原理，即卤化物在氢氧焰高温下，直接水解形成掺杂石英玻璃细粉，形成多孔预制件，然后通氯气脱水并烧结成透明的光纤预制棒。 氢氧焰中生成的玻璃细粉，沉积在旋转的模棒上形成多孔预制件并随棒往上提起，上移的速率应保持其生长界面与火焰之间的距离不变。如此这种多孔预制件（直径约5厘米）便可沿轴向连续生长。 c．等离子激活化学气相沉积法（PCVD），又称内部等离子体氧化法（IPO） PCVD法，是目前唯一利用复相化学反应制备玻璃预制件的气相技术。 亦即，该方法是采用2.45GHz的微波谐振腔激活非等温等离子体，获得高温而触发气体反应。所形成的产物直接沉积在石英管上。 利用微波腔产生的非等温等离子体沿着石英管移动来控制卤化物的氧化反应。（非等温等离子体系指电子温度远高于离子温度的等离子体）。 Ⅱ．拉丝 顾名思义，拉丝就是将直径约为10～20mm的预制棒，拉制成折射率按规定径向方向分布和所需直径的（一般为125μm）玻璃纤维。 拉丝的设备装置如图所示。将光纤预制棒以一定的速度喂入加热器，温度一般保持在1900～2100℃之间。光纤从熔融的预制棒下端拉出。拉丝的速率为0.5～10m/s，喂入和流出加热炉的玻璃数量应该保持平衡，为此，则有利于拉制的光纤保持恒定的直径。拉出的玻璃纤维先是通过压辊而后绕到拉丝鼓上。 加热源的作用是将预制棒加热到拉丝所需的温度，一般使玻璃的粘度η＝达到103～105Pa。由于气相技术制备的预制棒中含SiO2的数量很高，因此欲达到这样大的粘度需加热到2000℃。 另一方面，温度高，拉力减小（＜5g），粘滞流动及熔解作用等可使预制棒表面的各种缺陷易于消除，利于制得高强纤维。但要注意一点，温度过高会使某些组成的预制件在拉制过程中重新产生缺陷。 目前使用的加热源有电阻加热器、射频加热器、CO2激光加热器以及氢氧焰多能符合要求。 拉丝过程控制纤维直径的恒定是很重要的。因为光纤直径的变化会引起波导损耗、增加衰减，同时直径变化会使光纤连接耦合带来极大困难。直径波动的主要原因是由张应力引起的，它使光纤直径不断变小直至拉断。 热源不稳定、预制棒中含有的气泡等都会发生高频直径变化； 而拉丝温度及预制棒直径的变化会引起低频直径变化。 为了保护光纤不受摩擦和弯曲而引起的降低强度，将光纤装套。对于套管材料，提出了相应的要求。 其一，套管材料应具有韧性，使光纤免受摩擦；其二，套管应保护光纤不产生微弯曲。 因此套管材料既要有缓冲松软的内层，又要有坚韧的外壳