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Homework P109: 2.14, 2.16, 2.17, 2.18 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ? ? ? 半导体器件原理 南京大学 a: ?s0: Qsc0, 空穴积累 b: 0 ?s ?F： Qs 0, 空穴耗尽（高阻势垒区），忽略耗尽层载流子浓度。 负空间电荷随?s增大的速度变慢。 外加负偏压的增加，使??s?增大，Qsc指数上升。(空穴对表面电场的屏蔽作用） 半导体器件原理 南京大学 * * 半导体器件原理 南京大学 第二章 基本器件物理 I。若干概念 (1) 载流子浓度与费米能级 半导体器件原理 南京大学 （2）迁移率 高温： 晶格散射控制（T-3/2），对载流子浓度相对不敏感； 低温： 杂质散射控制，强力依赖于载流子浓度。 MOSFET反型层中迁移率远低于体迁移率（表面迁移率） 半导体器件原理 南京大学 （3） 扩散电流 半导体器件原理 南京大学 （4）薄层电阻率 （5）速度饱和 半导体器件原理 南京大学 II。 器件中的基本方程 （1）泊松方程 （2）德拜长度(能带对掺杂突然变化的响应长度） 半导体器件原理 南京大学 （3）电流密度方程（准费密势） 半导体器件原理 南京大学 （4）连续性方程及少子寿命 （5）介质驰豫时间（ ：多子响应时间, 很小，10-12 s） 半导体器件原理 南京大学 III。P-N结 （1）内建势 突变结 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （2）薄i层P-I-N二极管 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （3）二极管方程 半导体器件原理 南京大学 (1)假设电压降仅发生在耗尽区，体内为准中性区 (2)若体内压降不可忽略，Vapp必须由V?app代替。 半导体器件原理 南京大学 （4）电流电压特性 半导体器件原理 南京大学 a: 均匀掺杂 (p-n 结的p区） 半导体器件原理 南京大学 b: 单边突变结（n+-p) 正偏 反偏 半导体器件原理 南京大学 c: 宽基二极管 W/Ln1 正偏 反偏 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 d: 窄基二极管 W/Ln1 正偏 反偏 半导体器件原理 南京大学 e: 漏电流 扩散电流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT） 产生电流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT） 半导体器件原理 南京大学 （5）开关特性 充电时间 宽基 窄基 放电时间 宽基 窄基 tB(10-11s) ?n (10-7s) 半导体器件原理 南京大学 （6）扩散电容 n+(wide)-p(narrow) 结 CDnCDp 半导体器件原理 南京大学 (7) 击穿电压 电击穿（雪崩击穿，隧道击穿） 雪崩击穿电压：大于6Eg/q 隧道击穿电压：小于4Eg/q 热击穿 半导体器件原理 南京大学 IV. MOS电容 （1）表面势 P type Si N type Si 半导体器件原理 南京大学 this picture is wothy print 半导体器件原理 南京大学 积累 耗尽或反型 P型 N型 上弯 正 ?s 0 指向半导体外 VG0 耗尽或反型 积累 P型 N型 下弯 负 ?s0 指向半导体内 VG0 表面状况 半导体类型 能带 表面空间电荷区 表面势 表面 电场 电压 偏置 半导体器件原理 南京大学 （2）静电势与电荷分布