VLSI6解析.ppt

由此可见，动态功耗与输入信号频率成正比，而与器件参数无关。 （2）输入为非理想的波形 另一种动态功耗称为交变功耗 ，它是在输入波形为非理想波形时，反相器处于输入波形上升沿和下降沿的瞬间，负载管和驱动管会同时导通而引起的功耗。 交变电流 的峰值，tr，tf为输入信号的上升及下降延迟时间。 总功耗： P=Ps+Pd+PA 第三节 MOS管的其它参数 一、域值电压Vt ： Vt是晶体管的一个重要参数。计算表明，Vt的公式为： 其中： ：费米能级 q：电子电量 ：平带电压 ：衬底掺杂浓度 ：Si的介电常数 ：栅氧化层厚度 ：衬底与源极间所加的偏置电压 一般通过调整 、 及 来调节Vt。 二、漏源截止电流 对于增强型的MOS管，VgVt时，由于PN结反向漏电流等原因造成的电流称为截止电流，以Ioff表示。 引起漏电的原因很多，下面仅介绍形成截止电流的几个组成部分，以N管为例： 1、PN结反向饱和电流Io： 结， 其中：A为PN结面积， D电子扩散系数， Ln电子扩散长度， 本征载流子浓度 2、耗尽层产生电流Ig： 其中：Xd为耗尽层宽度，