模拟电子技术基础课件_半导体分析.ppt

1.5.2　晶闸管（晶体闸流管） 一、结构和等效模型 图 1.5.5　晶闸管的结构和符号 C C C 阳极 阴极 控制极 第四版童诗白 硅可控元件，由三个PN结构成的大功率半导体器件。 * 二、工作原理 图 1.5.6 　1. 控制极不加电压，无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压，晶闸管都不导通。 ——称为阻断 　2. 控制极与阴极间加正向电压，阳极与阴极之间加正向电压，晶闸管导通。 P N P IG β1 β2IG β1IG 图 1.5.5 C N P N C C 第四版童诗白 C * 结论： 　　晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间加正向电压时，再在控制极加一个正的触发脉冲； 　　晶闸管由导通变为阻断的条件是减小阳极电流 IA ，　　或改变A-C电压极性的方法实现。 　　晶闸管导通后，管压降很小，约为 0.6~1.2 V 左右。 第四版童诗白 * 三、晶闸管的伏安特性 1. 伏安特性 O UAC IA UBO A B C IH IG= 0 　正向阻断特性：当 IG= 0 ，而阳极电压不超过一定值时，管子处于阻断状态。 UBO ——正向转折电压 　正向导通特性：管子导通后，伏安特性与二极管的正向特性相似。 IH ——维持电流 　当控制极电流 IG ? 0 时， 使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压减小。 IG 增大 反向特性：与二极管的反向特性相似。 UBR 图 1.