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4.3 MOSFET 迁移率变化:速度饱和效应 VGS－VT0：弱反型区，ID与VGS指数关系(较小)， gm与VGS指数关系 VGS－VT0(较小)：强反型区，器件易发生夹断饱和， ID与VGS 平方关系，中电流， gm与VGS线性关系 VGS－VT0(很大)：器件很难发生夹断饱和，易发生速度饱和， 大电流，但跨导饱和。 模拟放大电路设计中：放大用MOSFET避免工作在速度饱和区， 因为跨导不变，消耗的电流（功耗）却在增加, 接近就OK，使gm较大 * * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT与L、W的相关性 漏、源区扩散结深rj 表面空间电荷区厚度xdT n沟道MOSFET 短沟道 长沟道 n沟道MOSFET 窄沟道 宽沟道 * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT随L的变化 利用电荷共享模型分析（实际MOSFET）： 源衬结和漏衬结的耗尽层向沟道区扩展 耗尽层内近S/D区的部分体电荷的电力线中止于源漏区 近似认为：左右下方两个三角形内的耗尽层电荷在VDB、VSB下产生， 只梯形内的空间电荷由VGS控制产生。 理想情况（长沟器件）：两侧三角形内空间电荷的量相对少，近似 栅氧下方耗尽层电荷都是在VGS控制产生 实际情况（短沟器件）：两侧三角形内空间电荷的量相对增加，实际需 VGS控制产生的电荷减少，VT减小 * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT随L的变化 沟道越短，由栅控制的耗尽层电荷面电荷密度越小，VT越小 * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT随W的变化 MOSFET半导体表面耗尽层在宽度方向将存在横向展宽现象 中间矩形和两侧的空间电荷均在VGS作用下产生 理想情况(宽沟器件)：两侧空间电荷的量相对少，可忽略，只中间矩形内 的耗尽层电荷需要栅压产生 实际情况(窄沟器件)：两侧空间电荷的量相对多，不可忽略，阈值反型 点需VGS产生的耗尽层电荷增多，VT增大 沿沟宽W的器件剖面图 * 4.3 MOSFET VT随W的变化:表面电荷 若栅边缘处耗尽层的扩展相等，均为耗尽层最大厚度XdT，则两侧为1/4圆 沟道越窄，由栅控制的耗尽层电荷面电荷密度越大，VT越大 通过离子注入技术向沟道区注入杂质调整VT，改变了氧化层附近衬底的N。 离子注入技术是微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。 离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。 * 4.3 MOSFET 离子注入调整VT:原理 p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑ * 4.3 MOSFET 离子注入调整VT:原理 受主注入剂量（单位面积注入的离子数） 注入前的阈值电压 p型半导体表面注入施主杂质Nd（如P）→半导体表面净掺杂浓度↓→表面更容易反型→VT↓ 施主注入剂量（单位面积注入的离子数） 公式前提：所有的注入杂质，都参与改变VT 实际情况？？ * 4.3 MOSFET 离子注入调整VT:注入杂质分布 注入后的平均掺杂浓度 注入前的掺杂浓度 注入深度 给定剂量Di后，对VT影响量与杂质注入到S后的分布函数相关 Delta函数型分布 阶跃函数型分布 高斯函数型分布:更接近实际情况，分析较复杂 XIXdT, XIXdT, VT利用NS求出 注入深度 单位面积注入的离子数DI XdT：注入后的最大耗尽层厚度 * 4.3 MOSFET MOSFET IC的发展 若尺寸缩小30％，则 栅延迟减少30％，工作频率增加43％ 单位面积的晶体管数目加倍 每次切换所需能量减少65％，节省功耗50％ MOSFET IC的发展趋势： 0.25um→0.18 um→0.13um→90nm→60nm →45nm →32nm →22nm →16nm，每一代工艺 L →kL，k ≈ 0.7， 尺寸缩小好处： 提高集成度：同样功能所需芯片面积更小 提升功能：同样面积可实现更多功能 降低成本：单管成本降低 改善性能：速度加快，单位功耗降低 完全按（恒定电场）比例缩小(Full Scaling) 尺寸与电压按同样比例缩小 电场强度保持不变 最为理想，但难以实现（器件阈值电压不能按比例缩小） * 4.3 MOSFET 缩小方式 恒压按比例缩小(Fi