双极型集成运放的版设计.pptVIP

p.331 13.5.1 双极型集成运放的版图设计 1. 模拟集成电路中的元件设计 2. 2. 双极型集成运算放大器 模拟集成电路中的基本单元电路 3. 双极型模拟集成电路的版图设计  模拟集成电路对元件的要求是高性能和多品种。 逻辑IC中npn管的β大于10即可使用，但在模拟集成电路中一般β大于100，高精度运放的输入晶体管要求β大于1000，还要求β不随集电极电流而变化，即小电流下β不下降。同时模拟集成电路对输入级对管对称性的要求很高。以双极型晶体管为例，要求VBE、 β、欧拉电压VA匹配，且这些参数的温度系数也要匹配。 在模拟集成电路中，除常用的集成元件如二极管、普通npn管、硼扩电阻器外，还常使用高增益npn管、横向pnp管、纵向pnp管、稳压管、JFET、MOSFET，各种阻值和精度的电阻器，几十pF的电容器等。 1.1 横向pnp管、纵向pnp管 的结构与特点 由于模拟集成电路中要应用npn-pnp互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入pnp结构的晶体管。图A 示出集成电路中的两种PNP型管。其中，横向pnp管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 npn管同时进行，不需附加工序。采用等平面隔离工艺的横向 pnp管的基本图形和结构如图AA所示，其中心 p型发射区和外围 p型区是与普通npn管基区淡硼扩散同时完成的，而基区即为外延层。在横向pnp管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 pnp管。 图A 集成电路中的pnp型管 纵向pnp管( 衬底pnp管 Substrate pnp transistor) 纵向pnp管其结构如图A所示。它以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。 1.2 模拟集成电路中的电容器 在模拟集成电路中，电容也是一个重要的元件。在双极型模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在MOS模拟集成电路中，由于在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与MOS器件相匹配，故集成电容得到较广泛的应用。普通pn结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点，故应用不多。在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。由于在MOS工艺中实现的MOS电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%~5%，因此在D/A、A/D转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。 以N+硅作为下极板的MOS电容器 集成电路中MOS电容 以上介绍MOS电容器的电容量的大小和电容器的面积有关，与单位面积的电容即两个极板之间的氧化层的厚度有关。可以用下式计算： 真空电容率： 是二氧化硅的相对介电常数，约等于3.9，两者乘积为 ，如果极板间氧化层的厚度为80nm(0.08μm)，可以算出单位面积电容量为 ，也就是说，一个10，000μm2面积的电容器的电容只有4.3pF。 电容的放大—密勒效应 对于跨接在一个放大器输入和输出端之间的电容，因为密勒效应将使等效的输入电容放大。下图说明了这种效应。 假设电容Co跨接在具有电压增益Av的倒相放大器输入和输出端，则等效的输入阻抗就等于： 等效的输入阻抗就等于： 在实际的电路设计中常利用这种效应来减小版图上的电容尺寸例如频率补偿电容就常采用这样的结构。另一方面，这种密勒效应也同样具有不利的一面，例如，MOS晶体管的栅漏之间的寄生电容CGD(因栅漏覆盖所引起)也会因密勒效应使MOS管的等效输入电容增加，影响器件的速度。 在电阻的制作过程中，由于加工所引起的误差，如扩散过程中的横向扩散、制版和光刻过程中的