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纳米晶应变硬化
* * * 纳米晶金属的应变硬化机制 汇报人：虢婷 目前很多实验结果都证明NC中有低的应变硬化，有些材料中更是观察到了大的应变硬化现象，这与我们之前的理论认识是矛盾的。 那么，这种现象是怎么形成的呢？ 一. L-C lock MD模拟表明NC位错也许会在晶界发射和消失而塞积，从而为小应变硬化提供了依据。 NC中有位错塞积的证据： 1. 20nm的晶粒中已经观察到位错； 2.NC金属在拉伸应力作用下展现出早期颈缩。 是不是传统的拉伸试验使得NC金属难以 展现应变硬化？ 它会不会发展成更大的应变？ 如果存在，在大应变下的应变硬化是不是位错塞积导致的？ 在低温下以一种承压方式滚轧电沉积法获得~20nmNCNi。 图一 图3 图一 假定位错塞积是应变硬化的主要原因，那是什么引起位错塞积呢? 而Lee等人也通过原位TEM观察发现了纳米晶Ni中L-C位错锁的形成及其与孪生界面相互作用 图4 L-C位错的形成： 两个领先不全位错的反应 层错的参与 再假定L-C位错锁在NC Ni的应变硬化中起着关键作用。试验和MD也验证了这一假设。 孪生位错的互作用 不均匀的晶粒尺寸分布（电沉积法) 织构演变 （X射线大于0.1的滚轧应变） 图5 二.晶粒长大 大塑性变形经常是在熔点50%以上出现的缓慢应变速率。因此，低温特别是室温下的大塑性变形就比较有吸引力。 电沉积法制备厚度~200微米的NC Ni（20nm） 图二 图3 方法因素？ 室温和高应力水平扩散蠕变？ 小晶粒的晶界活动？ 三. 形变孪生 电子束蒸发沉积 NC Pd 单片拉伸试验 ~25nm，包含连的孪晶界。 孪生界面作为共格界面，一方面可以阻碍位错运动，另一方面又能容纳位错的能力。 四.其他影响机制 堆积层错能 晶粒纯净度 临界晶粒尺度 位错平均自由程 谢谢！ * * *
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