第2章半导体三极管(SemiconductorDiode)摘要.doc

第2章 半导体三极管(Semiconductor Diode) 2.1双极型三极管 教学要求 晶体三极管(Semiconductor Transistor)利用特殊工艺将两个PN结结合在一起就构成了双极型三极管。 ????? 1.结构和符号结构特点：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ??? 分类： ??????? 构成材料：硅管、锗管??? 结??? 构：PNP、NPN??? 使用频率：低频管、高频管 ??????? 功??? 率：小功率管、中功率管、大功率管 ???? 2.电流放大原理 ???? （1）放大条件 ???????内部条件：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ???????外部条件：发射结（e结）加正向偏置电压，集电结（c结）加反向偏置电压。 ???????电位条件：NPNVc＞Vb＞Ve ；PNP型： Vc＜Vb＜Ve ???????电压数值：UBE 0.5-0.8V,??? 锗0.1-0.3V ???????????????? UCB：几伏——十几伏 ???????????????? UCE：UCEUCB＋ UBE　 几伏——+ 几伏　 ????? （2）三极管内部（NPN型为例）?? ???????? 1) IE。 ???????? 2)向发射区扩散的基区多子（空穴）因数量小被忽略。这样，到达基区