第4章 半导体的导电性-zhaowr-2011幻灯片.ppt

　对于N个原胞组成的三维晶体，设每个原胞中有n个原子，该晶体的晶格振动有以下三个一般结论： （1） 格波共有3n支，其中3支声频支，其余支 3(n-1)为光频支； （2） 每支格波有N个振动模； （3） 共有3nN个振动模． 四、三维晶格振动的一般结论 原胞内含 原子 数 原胞数 自由度数 q 数 格波数[晶体振动模或(?,q)数] 声学波数(支) 光学波数（支） 单原子链 1 N N N N 1 双原子链 2 N 2N N 2N 1 1 三维结构 n N 3nN N 3nN 3 3(n-1) 思考题：对于二维原子，每个原胞含有两个原子，请完成 上表。 * 物理与光电工程学院 4.4 电阻率及其与 杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 4.4.1 电阻率表示式 一般半导体： 本征半导体： n型半导体： p型半导体： 由 知，电导率是杂质浓度和温度的函数。 可得不同类型半导体的电阻率表示式： 由关系式 * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 考虑轻掺杂情况，在室温下杂质全部电离，且迁移率基本上不随杂质浓度变化(见图4-13)（思考：这说明了什么？）。因此电阻率随杂质浓度增加近似成反比减小(见图4-15). * 物理与光电工程学院 图4-15 Ge、Si、GaAs在室温下电阻率与杂质浓度关系 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下： 若 （4-63） 若 （4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 只掺n型杂质： 只掺p型杂质： * 物理与光电工程学院 例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？ 解： 室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为： 因此电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 掺入硼后，成为P型半导体。由于室温下杂质全部电离，因此载流子浓度为： 查阅室温下硅的杂质浓度与迁移率的关系曲线（图4-13）知，此时空穴的迁移率约为： 所以P型硅的电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 对纯半导体材料，电阻率主要由本征载流子浓度ni决定．随着温度上升ni急剧增加，而迁移率只稍有下降，本征半导体电阻率随温度增加而单调下降。 对杂质半导体，有杂质电离和本征激发两个因素存在，又有电离杂质散射和晶格振动散射两种散射机构的存在，因而电阻率随温度的变化关系更为复杂.对只有一种杂质的硅样品,其变化情况如下图所示: * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 AB段 温度很低，本征激发可忽略。载流子主要由杂质电离提供，载流子浓度随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大，所以，电阻率随温度升高而下降． 注：虽然温度升高，电离杂质浓度也在增加，但不起主要作用。 D * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 BC段 杂质已全部电离，本征激发仍不显著，载流子饱和，晶格振动散射为主，迁移率随温度升高而降低，电阻率随温度升高而稍有增大． D * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 CD段 温度继续升高，本征激发很快增加，载流子的产生远超过迁移率的减小对电阻率的影响。这时，本征激发成为矛盾的主要方面。杂质半导体的电阻率经一个极大值之后将随温度的升高而急剧地下降，表现出同本征半导体相似的特性． D * 物理与光电工程学院 3. 电阻率为10?.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。 解：查表4-15(b)可知，室温下，10?.m的p型Si样品的掺杂浓度NA约为： 查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为, 例题： 由于 则 * 物理与光电工程学院 6. 设电子迁移率0.1m2/( V??s),Si 的电导有效质量mc=0.26m0, 加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。 解：由 知平均自由时间为 平均漂移速度为 平均自由程为 * 物理与光电工程学院 作业： 4，5 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks 补充知识 晶格振动 晶体中的周期性排列的离子构成晶格；离子在其平衡位置在作永不停息的振动。 晶格的振动影响着晶体各方面的性质．如热学性质、光学性质、电学性质和磁学性质等。 晶格振动相关知识介绍 考虑一维单原子链：每个原子都相同，原子质量为m ，各原子的平衡位置间距为a。 设t时刻第n个原子相对于平衡