亥姆赫兹大物实验报告..docVIP

课程名称： 大学物理实验 实验名称： 亥姆霍兹线圈 学院： 学院 专业班级： 学生姓名：学号： - 实验地点： 座位号： 实验时间： 实验项目名称 亥姆霍兹线圈磁场 实验目的 学习和掌握霍尔效应原理测量磁场的方法。 测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。 实验原理 1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1） 载流圆线圈磁场 一半径为Ｒ，通以电流Ｉ的圆线圈，轴线上磁场的公式为 　　　（1-1） 式中为圆线圈的匝数，为轴上某一点到圆心O的距离。 它的磁场分布图如图1-1所示。 （2）亥姆霍兹线圈 所谓亥姆霍兹线圈为两个相同线圈彼此平行且共轴，使线圈上通以同方向电流Ｉ，理论计算证明：线圈间距a等于线圈半径R时，两线圈合磁场在轴上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，如图1-2所示。 2．霍尔效应法测磁场 （1）霍尔效应法测量原理 将通有电流I的导体置于磁场中，则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差，这一现象是霍尔于1879年首先发现，故称霍尔效应。电位差称为霍尔电压。 如图3-1所示N型半导体，若在MN两端加上电压U，则有电流I沿X轴方向流动（有速度为V运动的电子），此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后，运动着的电子受洛伦兹力FB的作用而偏移、聚集在S平面；同时随着电子的向S平面（下平面）偏移和聚集，在P平面（上平面）出现等量的正电荷，结果在上下平面之间形成一个电场（此电场称之为霍尔电场）。这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时，就不能向下偏移。此时在上下平面（S、P平面）间形成一个稳定的电压（霍尔电压）。 （2）霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压 设材料的长度为l，宽为b，厚为d，载流子浓度为n，载流子速度v，则与通过材料的电流I有如下关系： I=nevbd 霍尔电压 UH=IB/ned=RHIB/d=KHIB 式中霍尔系数RH=1/ne，单位为m3/c；霍尔灵敏度KH=RH/d，单位为mV/mA 由此可见，使I为常数时，有UH= KHIB =k0B，通过测量霍尔电压UH，就可计算出未知磁场强度B。 本实验使用的仪器用集成霍尔元件，已经与显示模块联调，直接显示磁场强度。 实验仪器 亥姆霍兹实验仪由二部分组成。它们分别为励磁线圈架部分（见图〈一〉）和磁场测量仪器部分（见图〈二〉）。 1.亥姆霍兹线圈架： 2.二个励磁线圈：线圈有效半径 105mm 3.线圈匝数 500匝 4.二线圈中心间距 105mm 实验内容及步骤 测量圆电流线圈轴线上磁场的分布 仪器使用前，请先开机预热5 min接好电路，调零。 调节磁场实验仪的输出功率，使励磁电流有效值为I=200 mA，以圆电流线圈中心为坐标原点每隔mA。以两个线圈轴线上的中心点为坐标原点每隔 刻度值/mm 位置距离中心的长度 测量值/mT 理论值/mT -110 0.057 0.375 0.4062 -100 0.047 0.421 0.4550109 -90 0.037 0.468 0.5020434 -80 0.027 0.51 0.5436006 -70 0.017 0.542 0.5756178 -60 0.007 0.564 0.5944313 -55 0.002 0.572 0.5980731 -53 0 0.574 0.5983986 -50 0.003 0.572 0.5976666 -40 0.013 0.565 0.5848985 -30 0.023 0.545 0.5577761 -20 0.033 0.513 0.5195497 -10 0.043 0.474 0.4742291 0 0.053 0.431 0.4257325 2.亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布的测量数据记录表2，（注意坐标原点设在两个线圈圆心连线的中点0处）。 并根据测量数据在坐标纸上画出实验曲线。 双匝线圈 刻度值/mm 测量值/mT 110 0.489 100 0.552 90 0.615 80 0.668 70 0.722 60 0.765 50 0.799 40 0.821 30 0.833 20 0.839 10 0.84 0 0.839 -10 0.838 -20 0.835 -