GaInAsSbGaSb异质结的MOCVD生长及掺杂.docVIP

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 硕士学位论文 GaInAsSb/GaSb异质结的MOCVD生长及掺杂研究 姓名：张子旸 申请学位级别：硕士 专业：凝聚态物理 指导教师：金亿鑫  摘要 张子肠硕士学位论文 摘要 ??猇族?化物由于在红外光源与探测领域的重要应用而得到了广泛重 生长特性，掺杂特性，并对材料中的位错特性进行了探索。 ? ????四元合金的掺杂研究 对??甈型掺杂源进行了分析，选择??，??，和??三种掺杂源 ? 发现??是较为合适的?型 对????四元合金进行了?琍型掺杂研究， ????／??异质结截面的微结构研究 ? 对????／??失配外延层中的截面特性进行了研究，发现在外延层 中存在????位错和堆垛层错，它们提供了一种内应力的释放方式，并且发 ? 为了满足日益增长的对材料特性的要求，我们自行研制组装了一台较先进 的，???拥模??婕扑慊?刂频牡脱筂??设备。 异质结，掺杂，位错  张子呖硕士学位论文 ???? ???? ?? ???? ? ? ????? ???? ?? ????? ??? ?? ????／?? ?????? ???? ??? ??????? ???????? ????? ??? ?????籘? ???????，。?、 ???????? ????? ??? ?????? ?????籘?????? ???? ?????? ???? ???? ? ???? ????? ??? ????? ??? ???? ?? ??? ? ???? ? ? ?????? ????甌? ??????? ??????甌? ?? ? ?? ?? ? ?? ??? ???????? ??? ?? ??? ? ??? ????????? ??? ??? ???? ???? ??? ? ?????? ? ??? ???? ??? ?? ?? ? ????? ??? ??????．? ??? ??? ???? ?? ???? ???? ??? ??? ???． ???，?? ??? ?????／?? ? ? ?????????? ????? ???? 一?  堡王堕堡主堂垡堡苎 垒里?坠? ? ? ??????? ????／?????????．?? ?? ?? ?????? ??? ???? ????? ???? ???? ??? ?? ????? ?? ???．? ? ???? ?? ?? ?? ?? ?? ? ??? ????． ??? ?? ? ?? ? ??? ? ? ? ?? ? ?? ??? ????猻???? ???? ?????：???甴???????甦???甦?????．  第一章： 与器件 ? 经成为外延生长的最重要、最关键的技术之一，为先进的光电材利大规模生 应机理，及更有效的反应模式正在探索之中，新的，更安全，更稳定和更易 ???际醯闹匾A煊颍?钥斫??牧系难芯恳脖砻鳎琈??技术存在 和蓝绿半导体激光器，它远远超过?—??宓牟牧嫌肫骷?。在???材 ??Ｏ衷谠诓牧系牟粼樱?穸燃白榉菘刂频戎副晟希琈??技术可以在 非常小的范围内对其进行控制，可满足电子器件如：场效应器件和其它电荷 控制装置对材料高度均匀性的要求。  减小杂质的含量?饕J翘?和提高源的稳定性为主要方向，任何新源及新 对于??逶吹奶剿饕1壬椋?仔略绰?琁?族化合物的新源的探索主要 是以化台物配位的改变，如氯基、甲基、乙基、丙基、和卤基?鏲?的 变化。这些新源的探索是为了减小非故意掺杂的碳的含量和减小这些化合物 的氧化反应，因为非故意掺杂的碳会补偿故意掺杂的旋主的含量，而引起器 ??的最重要的途径之一。碳的成分主要来源于外延层的?、，真实的反 应途径现在已经研究的非常清楚了。为了减小碳的含量，可以采取除去反应 源的碳基和使碳基本分解的两种方法。用乙基代替甲基键即使用三乙基镓 到碳的含量明显掀小。当使用三乙基镓??琀；?珿?和三乙基铝?，??，? 时，由于低分解温度和生长前的一系列不完全分解，虽然碳的含量减少了， 但生长的均匀性也降低了。这种均匀性的问题的产生，强烈地受到反应器的 尺寸的影响。减少碳成分的途径应该是限制所有含碳类的源的发展，三甲基 胺有助于铝烷的稳定性，在较低的生长温度铝烷完全分解成铝金属。这种在  张子哂硕士学位论文 子点，量子线激光器，提高了温度的稳定性和降低了阈值电流：量子阱和超 晶格已经成为各种光电器件的有效组成部分。通过在刻有图案的衬底上生长 或在平面衬底生长出特定结构的方法来生长出一维的，或零维结构的材料。 在刻有图案的衬底上的生长主要是形成布拉格反射结构和量子线，量子点的 生长。通过表面质量输运移动和生长方向及生长温度关系的研究可以