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al9910ev7modificationguidechi
AL9910EV7
双向晶闸管可调光120VAC
评估板
-修改指南-
日期:2012年8月3日
有关文件包含Diodes机密及专利信息
(仅供内部使用)AL9910EV7 120VAC可调光修改指南 2012年8月
1. 标准评估板原理图
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图1:标准评估板原理图
2. 修改摘要
我们基于8个LED的布局,修改了以下器件,从而提升效率:
1. 电感器 (L2) – 可达到较低导通及开关损耗的线艺公司电感器 (MSS1278T-105KLB)
2. MOSFET (Q1) – 提供低RDS(on) (0.9?) 及低Qg (6nc) 的Alpha Omega产品
(AOD4S60)
3. 续流二极管 (D2) – 恢复时间加快至25nSec的Diodes公司出品 (ES1G-13-F)
4. ROSC电阻器 – 把R32增至 440K?,以降低开关频率
5. 栅极驱动电阻器 – 把R6减至4.73?,以加快开启MOSFET的速度
AL9910EV7 修正版1 - 仅供内部使用 - 第 2 页 (共15页)
(2012年8月3日)AL9910EV7 120VAC可调光修改指南 2012年8月
我们总结出,使用标准评估板能够把整体效率提升到大约87%。此外,我们在最高亮度
设定下,连接120VAC 路创电子公司的调光器 (P/N LG-603PG),结果效率维持在8成。
3. 简介
这个报告示范如何从标准评估板选择器件及改变应用电路,从而满足特定客户的需求。
客户对于定制LED应用各有要求。我们可以修改旗下的标准评估板,以满足他们的需求,
以及缩短设计的时间。客户通常会提供不同的测试条件,包括输入或输出电压、输出LED
的数量、输出LED电流、输出纹波电流、功率因数与效率。
4. 从标准评估板作出修改
以下的参数让用户能够利用我们的标准评估板来修改应用电路图,借以满足他们对于定制
LED的需求:
1. 如何调整输出LED电流 (ILED)
用户可把Rsense电阻器 (R7) 及功率电感器 (L2) 改为不同的等值,来减少或增加输出
LED电流。
以下图表显示选择R7及L2的典型值,以满足ILED所需:
Rsense
(?) 功率电感器
(mH) ILED
(mA) 1.91 1.0 260
1.62 1.0 425
1.50 1.0 500
1.20 1.0 700
2. 如何提高效率 (Eff)
效率会因应几个参数而变化:
( ILED
LED电流与光线的强度成正比。较高的ILED将基于功率方程Pout = Vout * ILED来提高效
率。然而,用户须要了解相关LED种类的电流限制,切勿超过该限制。
AL9910EV7 修正版1 - 仅供内部使用 - 第 3 页 (共15页)
(2012年8月3日)AL9910EV7 120VAC可调光修改指南 2012年8月
( LED数量
典型的LED电压为3.3V,LED的数量决定了Vout,并且建基于功率方程Pout = Vout *
ILED。当LED的数量上升,Vout将随之增加及影响效率。
( MOSFET选择
功率MOSFET充当开关去调整流经LED输出的电压,当ILED超过限制,MOSFET将连
同电流反馈环电路一并关掉,以保护LED。
在提升效率的前提下,两个决定MOSFET选择的主要参数为:
低RDS(on)将减少传导损耗;低Qg将减少开关损耗。
( MOSFET栅极驱动
通过把R6从22?降到4.7?来改善栅极驱动,MOSFET将因而加快启动的速度和提高效
率。
( 开关电感器
只要选择合适的电感值,电感器就能够以连续导通模式来操作系统,达到最高性能。
下列参数须被定义或计算,使电感可保持连续导通模式操作:
( 最高输入电压
( 最低输入电压
( 最高开关频率
( 最高LED 纹波电流
( 占空比
选择具有+/-20%容差的较大值电感。可是,要达到较大的电感,就需要更多线圈,而
且直流电阻(DCR) 与成本往往较高。
因此最终的电感器选择取决于4大设计准则,包括效率、电磁干扰(EMI)、尺寸和成
本。手持式电池供电应用则需要高效率、低电磁干扰和最小空间。至于取代型LED照
明应用方面,一般会为交流供电采用成本最低的解决方案。
建议检查每个位于Irms、Isat和直流电阻等参数旁边的电感器滚降及频率响应。参考数
据手册里的频率响应曲线。EV7应用则采用线艺公司的MSS1260T系列高温功率电感
器。
总电感器损耗源自两个因素,包括与开关频率相关的电感磁心损耗,以及直流电阻损
耗,也就是传导电阻损耗。
AL9910EV7 修正版1 - 仅供内部使用 - 第4 页(共15页)
(2012年8月
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