第一章半导体基础新.ppt

U / V 1.2.2 二极管的伏安特性 一、正向特性 阈值电压Uth:使二极管开始导通的电压 硅管Uon=0.5V 锗管Uon=0.1V 导通电压： 硅(0.6～0.8)V (取0.7V） 锗(0.1 ～0.3)V (取0.2V） 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth U / V 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth 三、击穿特性 材料 开启电压UON （V） 导通电压 （V） 反向饱和电流（?A） 硅 ≈0.5 0.6 — 0.8 0.1 锗 ≈0.1 0.1—0.3 几十 两种不同材料构成的二极管的比较: 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由PN结 面积及散热条件决定。 二极管在使用时所允许加的最大反向电压，通常为击穿电 压的一半。 1.2.3 二极管的主要参数 3、反向电流IR 4、 最高工作频率fM 二极管未击穿时的反向电流值。 主要由PN结的结电容大小决定。超过此值，单向导电性变差。 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 一、半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字表示器件的电极数 拼音字母表示器件的材料和极性 拼音字母表示器件的类别 数字表示序号 拼音表示 规格号 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 二、选用二极管的一般原则 1、要求导通后正向压降小的选锗管；要求反向电流小选硅管。 2、工作电流大时选面接触型；工作频率高时选点接触型。 3、反向击穿电压高时选硅管。 4、要求耐高温时选硅管。 1.2.5二极管的等效电路 一、理想二极管等效模型 I/ mA U / V 符号： 正偏时压降为零； 反偏时电流为零。 二极管具有非线性的伏安特性，为便于分析，在一定条件下，对其进行线性化处理，建立二极管的“线性模型”。根据二极管的不同工作状态及分析精度的要求，可选择不同的模型 1.2.5二极管的等效电路 二、理想二极管恒压源模型 符号： Uon 只有正偏电压超过导通电压，二极管才导通，其两端电压为常数；否则二极管不导通，电流为零。 Uon是二极管的导通电压 I/ mA U/ V Uon 0 除直流信号外，又引入微小变化的信号，可以用伏安特性在Q处的切线近似表示实际的这段曲线。 此切线斜率的倒数为二极管在Q处的动态电阻等效电阻 三、微变信号模型 UDQ △ID I/ mA U/ V △UD IDQ Q △U + - △ID rd 动态电阻与直流工作点位置有关 1.2.6半导体二极管应用举例 1、串联限幅电路 二极管与负载电阻串联 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， Ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ 0 1.2.6半导体二极管应用举例 2、并联限幅电路 二极管与负载电阻并联 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， uo＝ Ｕon Ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ ui 1.2.6半导体二极管应用举例 3、双向限幅电路 二极管反向并联在输出端 限制了输出信号的正负幅度 uo＝ ?Ｕon VS 正极 负极 1、稳压管的伏安特性 1.2.7 稳压管 A I/mA U/V 0 正向特性 反向击穿区 UZ Imin IZmax B AB段，电流变化很大而电压基本不变，可用来稳压 是一种特殊的半导体二极管 稳压管必须工作在反向工作区 2、稳压管的主要参数 （1） 稳定电压 UZ （2） 最小稳定电流 Imin 电流为规定值时稳压管两端的电压值 稳压正常工作时的最小电流 （3） 最大耗散功率PZM和最大工作电流 0 ?IZ ?UZ U/V Imin IZmax I/mA 2、稳压管的主要参数 （5） 动态电阻 rZ rZ = ? IZ ?UZ （6） 稳定电压的温度系数 ? 稳压管两端电压变化量与对应的电流变化量的比值 温度每变化1°C，稳定电压UZ的相对变化量  稳压管正常工作的条件： （1）工作在反向击穿状态 （2）稳压管中的电流在稳定电流及最大工作电流之间 3、应用电路 uo＝ Ｕz 其他类型二极管 1、发光二极管：当外加正向电压使的正向电流足够大时，二极管开始发光。发光二极管也具有单向导电性，它的开启电压比一般的二极管大。颜色不同，发光二极管的开启电压不同。一般红色的在1.6—1.8V之间，绿色的为2V左右。 2、光电二极管：是一种光能与电能进行转换的器件，将接收到的光的变换转化成电流的变化。 * * 模拟电子技术基础