2.12 存储器幻灯片.pptVIP

地址产生电路　　　 存储阵列 M列　 N行　 0x01　 0x02　 0x03　 0x04　 0x05　 0x06　 0x07　 0x08　 0x09　 0x0A　 0x0B　 地址　 地址产生源　　　 对于一颗CPU芯片或者计算机系统来说，它都有一个最大寻址空间的指标，但最大寻址空间并不等于必须的寻址空间，计算机使用多少寻址空间是由计算机的程序指令决定的，所以对计算机的程序实验来讲，只要满足其具体实验要求的寻址空间就足够了，所以8位计数器对其相关电路的实验已经完全够用了，选择计数器做地址数据的产生是因为计算机对存储器的操作也是以计数器的方式进行的。 计数器产生地址信息 地址输入电路 地址码输出 地址信息显示 地址产生 2.12.5 数据输入与显示电路 2.12.7 地址输入电路 2.12.8 SRAM实验 目 录 2.12.6 数据与地址输入控制电路 SRAM实验电路各部分组成 EN SRAM实验电路组成 数据输入 电路 地址输入 电路 控制电路 SRAM读写 电路 A0 ~ A7 D0 ~ D7 SRAM实验过程 1 向SRAM写入数据： 参照“程序清单4.1”将8位二进制数据写入存储器中 2 从SRAM读出数据： 将二进制数据从存储器I读出，并在数据显示器上显示 SRAM实验流程简图 接通电源 按下S2，LED2点亮 地址开关全拨为0，ADDR全灭 数据开关全拨为0，DATA全灭 按下S11，将数据写入对应地址 重复上面三个步骤，拨号其它地址和数据 向SRAM写入数据 从SRAM读出数据 按下S1，LED2熄灭 将地址开关全拨为0 按下S10键 在DATA显示器上读到先前输入的数据 重复上面三个步骤，校验其它地址对应的数据 ROM128存储器工作原理 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ? 与Y0相连的所有二极管导通，相应的位线变为低电平，未与Y0跨接二极管的位线保持高电平。 假设仅短路Y0与D0交叉处二极管11111110 假设仅在Y0与D0交叉处连接二极管，若输出使能控制信号 OE=0，则输出1111 1110B。 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 注意A9实验区的连接：先连接JPR4，然后将JPR3与实验大板上的Vcc与GND用杜邦线分别连接以接通电源。 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，示例详见表4.23； 插上短路器连接二极管相当于存储一个0，否则存储1 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，示例详见表4.23； 3、拨动开关KA0 ~ KA3，通过LED的显示状态找到对应的关系。 例：拨动KA0~KA3使A3~A0输入1101，根据ROM128中存储的数据，LED显示状态如图中所示。 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 0 0 LED流水灯实验 实验步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，参照“LED流水灯编码表”； 3、按键S7、S8、S9，分别实现清零、LED流水灯步进和快速显示。 注意，使用按键S9时可通过JP23调整LED流水灯的速度。 2.12.1 只读存储器ROM 2.12.3 随机访问存储器 2.12.4 数据的存与取 目 录 2.12.2 ROM128存储器实验 随机存取存储器分类 静态RAM(SRAM) 存储单元由锁存器(或触发器)构成，有2个稳定状态来存储1位二值信息，只要不断电所存储的数据就可以长期保存，因此也称它为静态的。 动态RAM(DRAM) 存储单元是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0，而电容是会漏电的，因此需要外部电路进行刷新操作才能确保数据不丢失，因此称它为动态的。 特点： SRAM基本结构　　 存储阵列 地址译码器 I/O控制电路 + + A0 A1 An-1 CE WE OE I/O0 I/Om-1 SRAM结构框图 属于时序 逻辑电路 可读可写 存储单元是由锁存器(或触发器)构成 SRAM结构框图 SRAM基本结构　　 存储阵列 地址译码器 I/O控制电路 + + A0 A1 An-1 CE WE OE I/O0 I/Om-1 n位二进制地址线 m位双向数据线