2-0模拟集成电路－三极管.pptVIP

Dr. Jian Fang . UESTC 模拟集成电路 三极管 三极管 三极管的基本工作原理 三极管集成实现的各种结构及特点 三极管模型（大信号，小信号） 模拟集成电路中常见的三极管 npn管 横向pnp管 纵向pnp管 超增益npn管（ β≥1000 ） 三极管的基本工作原理 NPN管 如何减小寄生管的影响? 结论: 当NPN工作于饱和区或方向工作区时, 寄生PNP处于正向工作状态. 严重影响电路工作. 一般地, 模拟集成电路中, NPN要求工作于截止区和正向工作区. 此时, 寄生PNP的影响基本可以避免. 如何表征该器件? 如何减小寄生管的影响?(续) NPN管工作于正向工作区和截止区 寄生管可以忽略 NPN管工作于反向工作区时 NPN管工作于饱和区 改进方案 掺金工艺 降低寿命. 埋层结构 基区宽度增加, 引入减速场,减小渡越时间. 无源寄生效应 设计要点: 超增益npn管（ β≥1000 ） 集成电路中的pnp型管 寄生效应 设计考虑: 在图形上减小发射区面积与周长之比.(与NPN设计相反). 减小表面电流引起的基极电流增加. 采用集电极包围发射极的结构 增大结深 采用埋层工艺 小电流应用 设计要求: 在图形上减小发射区面积与周长之比.(与NPN设计相反). 减小表面电流引起的基极电流增加. 采用集电极包围发射极的结构; 增大结深; 提高发射极浓度; 采用埋层工艺; 小电流应用; 减小基区宽度. 采用并联结构. 其他的横向pnp管: 纵向pnp管( 衬底pnp管 Substrate pnp transistor) 它以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。 晶体管的模型 大信号模型 小信号模型 Summary of active-device papameters Collector current Transconductance Input resistance Output resistance Collector-base resistance Based-charging cap Input cap Forward-active emitter-base junction depletion cap Collector-base junction Cap Collector-substrate Cap Transition frequency Effective transit time Maximum gain 纵向pnp管（衬底pnp晶体管） 衬底 pnp 纵向pnp管主要特点： 纵向pnp管的C区为整个电路的公共衬底，直接最负电位，交流接地。使用范围有限，只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 晶体管作用发生在纵向，各结面较平坦，发射区面积可以做得较大，工作电流比横向pnp大。 因为衬底作集电区，所以不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。(一定不要用埋层) 外延层作基区，基区宽度较大，且硼扩散p型发射区的方块电阻较大，因此基区输运系数和发射效率较低，电流增益较低。 由于一般外延层电阻率?epi较大，使基区串联电阻较大。可采取E、B短接的方式，使外基区电阻=0，同时减小了自偏置效应，抑制趋边效应，改善电流特性；E、B短接还有助于减少表面复合的影响，提高电流增益。 ? 提高衬底pnp管电流增益的措施 降低基区材料的缺陷，减少复合中心数目，提高基区少子 寿命。 适当减薄基区宽度，采用薄外延材料。但同时应注意，一 般衬底pnp管与普通的npn管做在同一芯片上，pnp基区对 应npn管的集电区，外延过薄，将导致npn管集电区在较低 反向集电结偏压下完全耗尽而穿通。 适当提高外延层电阻率，降低发射区硼扩散薄层电阻，以 提高发射结注入效率。 在衬底和外延层之间加p+埋层，形成少子加速场，增加? 值。注意在纵向pnp管中不能加n+埋层，这样将形成少子 减速场，降低?值。 自由集电极纵向pnp管 VA * * P-sub P+ P+ N+ N+ Pwell N+BL N+ P N P E B C S B E C S NPN管 寄生PNP管 问题: 如何减小寄生管的影响? 如何表征该器件? NPN管 N+ P N P B E C S 寄生PNP管 Vbe Vbc 饱和区 反向工作区 截止区 正向工作区 E B C S N+ P N P B E C S NPN管 寄生PNP管 采用四层三结的EM模型: αF, αR