影响淀积层质量的因素II040516.pptVIP

7．3 衬底材料和外延层的结构完善性7．3．1. 外延关系 衬底材料对外延层的质量，特别是对其结构的完善性有极重大的影响。必须认识生长层的各种缺陷的成因与衬底的关系 . 何谓外延？ 同质外延时：外延层取向总是跟衬底一致。 异质外延：若原子间距有一合理的匹配，则外延层取向一般也跟衬底相同 7．3．1. 外延关系 生长层的结晶学取向行为：取决于淀积物—衬底结合面上的晶格结构和原子间距的互相匹配 晶格失配的程度表示：[2(a2-a1)/(a1+a2)]% 式中：a2、a1(a2 a1)分别为衬底和生长层二者的晶格常数 实践表明，晶格失配达7％时仍能保持单一的外延关系。当晶格结构不同或晶格失配非常大时(10％)，淀积层可以有相当不同的外延关系，其结果很难预言。 ? 7．3．1. 外延关系 例如，在蓝宝石(α-Al2O3)上淀积GaN，已发现有以下各种外延关系: 7．3．1. 外延关系 许多研究表明，生长层可以按衬底材料的结构结晶，而不采取淀积物本身的正常结构。 例如，铯和碲的卤化物(正常情况下为CsCl结构)如果在钠和钾的卤化物上外延生长，可以取NaCl结构； 在NaCl衬底上淀积通常为正交结构的SnS得到NaC1结构的外延层； 该情况在金属元素之间的外延关系中更为多见 7．3．2. 线位错 外延层位错显然与衬底关系密切。淀积层位错的主要原因是淀积物-衬底组合在晶格常数、热膨胀系数上的差异。 Tietjen和Amick[22]曾指出，氢化物体系制备的GaAs1-xPx淀积层的位错密度取决于衬底(GaAs)的位错密度。衬底晶体的所有位错都穿过结面而进入了外延层；由生长层才开始有的附加位错比从衬底传播来的位错至少低一个数量级 但是也有人指出：在无位错的GaAs衬底上外延的GaP位错密度也总是大于2×105/厘米2，这说明两种材料的位错密度之间没有一定的联系。 7．3．2. 线位错 如果两种材料晶格常数比较匹配，通过控制生长条件就可以获得完善性好的外延层。由表8数据可见，A1As和Ge， AlAs和GaAs，GaP、AlP和Si，CdTe和InSb等等匹配很好。InP和CdS组合，晶格失配仅0.83％，因而InP-CdS是一种良好的太阳能电池材料。 晶格不匹配，在界面形成失配位错。位错密度随晶格失配程度而异;晶格常数差异较大时(＞0.1?)，失配位错随机取向，导致界面上产生局部应力；晶格差异较小时，失配位错倾向于有序排列，生长层中将形成一种斜向应力，引起外延层-衬底组合的弹性形变。 7．3．2. 线位错 Oldham[140]提出用异质结上悬键的表面密度 表示由于晶格失配引起的界面应力的大小，其中 、 分别指结合面边的“表面键密度”。 用P=ab/(b-a)计算沿给定方向上的悬键间距，亦即失配位错间距。其中b是晶格常数较小的材料在该方向上的原子间距。 Saul假定晶格失配为失配位错完全补偿，理论计算得到GaP-GaAs界面上的位错密度为5×109/厘米2。透射电镜观测结果是107～108/厘米2，证实了这种理论预言。 7．3．2. 线位错 表9列出了半导体器件中最常见的晶体结构即金刚石与闪锌矿结构中的(100)，(110)、(111)界面的失配位错计算结果（Holt[142]）。 7．3．2. 线位错 Matthaws等在GaAs衬底上生长GaAs和GaAs0.5P0.5多层薄膜时发现位错堆、线位错、滑移线和裂纹等缺陷源自薄膜层与衬底之间的晶格失配所产生的弹性应力。 层之间的附着张力使得这些位错通过材料层运动延伸，若两种材料的弹性常数不同，则应力总是使位错从软材料向硬材料伸展。 提出改善多层结构的方法：每一层厚度都低于临界值，避免层与层之间产生失配位错；衬底的晶格参数与多层结构的平均晶格参数相匹配。获得的多层结构不含失配位错，无裂纹和很少有线位错(透射电镜末发现)。 7．3．3 取向缺陷  外延膜和衬底的相对取向，通常可用背射劳厄法检测。 非取向性材料的劳厄图除了斑点外，还有环状线存在。例如，在高质量的直拉宝石上生长的GaP，斑点清晰，说明单晶性良好;在火焰法宝石上或尖晶石上生长的GaP，往往具有弥散的劳厄斑点 7．3．3 取向缺陷 在劳厄图案的检出限度内证明是单晶的外延层,也可能包含小的方向性缺陷，可用x射线衍射证实。如文献报道： (0001)和 取向的白宝石衬底及(111)尖晶石衬底上生长的GaP，平行取向偏离是0.1°(测量误差为0.01°)，证明晶粒的非取向性互相为0.1° 微晶结构是绝缘衬底上外延生长半导体的特征，宝石衬底上生长的GaN外延层同样如此。 7．3．3 取向缺陷 在劳