浅析溶胶凝胶制备高阻AZO 和电阻率的测试.docVIP

浅析溶胶凝胶制备高阻AZO 和电阻率的测试 　　引言 　　AZO 薄膜是由ZnO 和Al2O3共同沉积，充分扩散形成的复合薄膜。通过改变ZnO 和Al2O3的比例，AZO 薄膜介电常数、晶格常数、硬度、表面粗糙度、反射率、折射率、电荷存储容量和电阻率都可以明显的改变[1]。AZO 薄膜被广泛的应用于液晶电视和太阳能电池等领域。国内关于低阻AZO 薄膜光电特性研究[2]和制备方法的优化方案有很多。但是，关于研究高阻AZO 薄膜相关报道很少。AZO 薄膜宽范围的电阻率能够优秀匹配微通道板导电层的电阻率要求。文章制备不同组分下的AZO 薄膜，对薄膜电阻率进行测试为微通道板的导电层制备提供参数。文章运用溶胶-凝胶法研究高阻AZO 薄膜的电导率。 　　1 实验 　　实验选用面积2cmtimes;1cm 的Silt;100gt;作为衬底，首先用H2O2和H2SO4混合溶做去碳清洗;然后用HF 溶液除去衬底的氧化膜;用丙酮和乙醇的混合溶液超声清洗5min，烘干;最后用光刻胶覆盖部分衬底，以备后期制作AZO 薄膜和衬底的台阶。 　　实验以二水合乙酸锌和六水合氯化铝作为前驱物，二乙醇甲醚和乙醇做溶剂，单乙醇胺作为稳定剂。一共制备四组样品，每组原料取量如表1 所示。将一定量的二水合乙酸锌溶于二乙醇甲醚中，加入适量单乙醇胺，在60℃经充分搅拌后形成透明均匀的溶液，将六水合氯化铝加入到适量乙醇中形成溶液，再将六水合氯化铝溶液加入到二水合乙酸锌溶液中，充分混合，最终配制成不同含量Zn 和Al混合的溶液。溶液在实验室温度下静置2 天形成胶体。用丁达尔现象验证胶体是否形成，如果形成胶体，用浸渍提拉法制备薄膜。薄膜制取后，采用日立原子力显微镜(型号AFM5100N)检测薄膜表面形貌，利用台阶仪(型号XP-1)测试薄膜厚度。对样品表面选取1cmtimes;1cm 正方形作为测试范围，其余部分涂抹导电银胶从两端的导电银胶引出导线，将样片放置在屏蔽盒内部，将两根引线分别接在微电流计(型号R8400)的两个探针上，微电流计显示的示数就是样品的方块电阻。 　　2 结果与分析 　　2.1 高阻AZO 薄膜表面形貌研究 　　从测试结果可以看出样品1、2 表面相对工整，样品3 成带状分布，薄膜表面高度差值达到1.5mm，样品四成块状分布表面变化高度差达到0.5mm。这是由于溶胶溶剂的影响，样品1、2 中二乙醇甲醚所占量大，溶胶颗粒分布均匀，表面相对平整。而3、4 中主要的溶剂是乙醇，溶胶颗粒聚团，表面相对粗糙。在后续的研究中寻找一种醚系溶液作为氧化铝的溶剂，可以更好的改善样品的成膜质量。另外，可以采用高温烧结的方式得到相对工整、扩散充分的薄膜。 　　2.2 高阻AZO 薄膜电阻率测定 　　实验中测试了薄膜厚度，利自制测试薄膜方块电阻的方法测试薄膜表面电阻，通过表面(Rs ) 、薄膜厚度(t)和体电阻率(rho;)的关系式：rho;= Rst(1)可以计算样品的电阻率，可以得出结果如下：四个样品其表面电阻Omega;/口分别为1.14times;107、1.40times;1014、1.05times;1019、1.50times;1021，其薄膜厚度mu;m 分别为： 20mu;m、30mu;m、25mu;m、21mu;m，电阻率Omega;·cm 分别为：2.27times;102、4.21times;109、2.63times;1014、3.21times;1016。通测定的4 个样品的电阻率能够描绘出不同含量Al 原子的AZO 薄膜的电阻率曲线图。拟合AZO 薄膜的电阻率曲线，拟合的形式为：y=exp(a+bx+cx2) (2)其中a=-18.65，b=106.55，c=-49.90。模拟的曲线能初步估算当薄膜中铝的原子含量大于总原子含量25%时对应薄膜的电阻率。通过曲线可以观测到，当铝的含量在35%到45%之间时候薄膜电阻率能够满足微通道导电层的电阻率要求。 　　3 结束语 　　文章给出了使用醚溶液能够得到粗糙度小的连续高阻AZO 薄膜。通过对数据的拟合得出在铝含量 25%--100%之间随铝含量变化高阻AZO 薄膜的电阻率曲线方程：y=exp(-18.64+106.55x+49.9 (4)当铝的含量在35%到45%之间时候薄膜电阻率能够满足微通 tJDbU 　　道导电层的电阻率要求。