2000-2013北京高考物理磁场.doc

201403高考复习 磁 场 部 分 北京市海淀实验中学 卢明2013北京22.如图所示，两平行金属板间距为d，电势差为U，板间电场可视为匀强电场，金属板下方有一磁感应强度为B的匀强磁场。带电量为+q、质量为m的粒子，由静止开始从正极板出发，经电场加速后射出，并进入磁场做匀速圆周运动。忽略重力的影响，求： （1）匀强电场场强E 的大小： （2）粒子从电场射出时速度v的大小： （3）粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径R。. 22、【解析】（1） （2） （3） 2012北京16．处于匀强磁场中的一个带电粒子，仅在磁场力作用下做匀速圆周运动．将该粒子的运动等效为环形电流，那么此电流值 A．与粒子电荷量成正比 B．与粒子速率成正比 C．与粒子质量成正比 D．与磁感应强度成正比 2011北京23．（18分） 利用电场和磁场，可以将比荷不同的离子分开，这种方法在化学分析和原子核技术领域有重要的应用。 如图所示的矩形区域ABDG（AC边足够长）中存在垂直于纸面的匀强磁场，A处有一狭缝。离子源产生的离子，经电场加速后穿过狭缝沿垂直于GA且垂直于磁场的方向射入磁场，运动到GA边，被相应的收集器收集。整个装置内部为真空。 已被加速的两种正离子的质量分别是和（＞），电荷量均为q。加速电场的电势差为U。离子进入电场时的初速度可以忽略。不计重力，也不考虑离子间的相互作用。 求质量为的离子进入磁场时的速度； 当磁感应强度的大小为B时，求两种离子在GA边落点的距离s; 在前面的讨论中忽略了狭缝宽度的影响，实际装置中狭缝具有一定的宽度。若狭缝过宽，可能使两束离子在GA边上的落点区域交叠，导致两种离子无法完全分离。设磁感应强度大小可调，GA边长为一定值L，狭缝宽度为d，狭缝右边缘在A处，离子可以从狭缝各处射入磁场，入射方向仍垂直于GA边且垂直于磁场，为保证上诉两种离子能落在GA边上并被完全分离，求狭缝的最大宽度。 23 粒子在电场运动过程，由动能定理得： Uq==1/2mv2 则v= (2)由牛顿第二定律得： Bqv=m 则 = = 两种粒子在GA上落点的间距 s=22=(-) (3)质量为的粒子，在GA边上的落点都在其入射点左侧2处，由于狭缝的宽度为d，落点区域的宽度也为d，同理，质量为的粒子在GA边上落点区域宽度也是d。 为保证两束粒子能完全分离，两个区域应无交叠，条件为 s=22＞d 即2）＞d 的最大值满足 2=L-d 得 （L-d））＞d 解得最大值 dm= .L 2010北京23.（18分）利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。 如图1，将一金属或半导体薄片垂直至于磁场B中，在薄片的两个侧面、间通以电流时，另外两侧、间产生电势差，这一现象称霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用相一侧偏转和积累，于是、间建立起电场ＥＨ，同时产生霍尔电势差ＵＨ。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，ＥＨ和ＵＨ达到稳定值，ＵＨ的大小与和以及霍尔元件厚度之间满足关系式，其中比例系数ＲＨ称为霍尔系数，仅与材料性质有关。 设半导体薄片的宽度（、间距）为，请写出ＵＨ和ＥＨ的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图１中、哪端的电势高； 已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为ｎ，电子的电荷量为ｅ，请导出霍尔系数ＲＨ的表达式。（通过横截面积Ｓ的电流，其中是导电电子定向移动的平均速率）； 图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着ｍ个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图３所示。 ａ.若在时间ｔ内，霍尔元件输出的脉冲数目为，请导出圆盘转速的表达式。 ｂ.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。 23．（18分）（1）由 ① 当电场力与洛伦兹力相等时 ③ 得 ④ 将 ③、④代入②， 得 （2） a.由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则 P=mNt 圆盘转速为 N= 提出的实例或设想 （2009年高考北京卷，19） 19．如图所示的虚线区域内，充满垂直于纸面向里的匀强磁