第6章1电路和系统的噪声抑制技术.pptVIP

* 储能电容安装的位置：储能电容的作用是为芯片提供瞬态高能量，因此在布线时，要尽量使它靠近芯片。这种提法有时不够确切，更确切的要求是：使储能电容的供电回路面积尽量小。也可以这样说：是储能电容与芯片电源端和地线端之间的联线尽量短。 芯片的影响：储能电容与芯片之间的联线长度是线路板走线的长度加上芯片自身引脚的长度。因此，要减小这个两部分的总长度。因此要选用电源引脚与地引脚靠得近的芯片、不使用芯片安装座、使用表面安装形式的芯片等。 二级储能电容：每片芯片的储能电容在放电完毕后，需要及时补充电荷，作好下次放电的准备。为了减小对电源系统的骚扰，通常也通过电容来提供电荷。为了描述上的方便，称起这个作用的电容为二级储能电容。当线路板上的芯片较少时，一只二级储能电容就可以了，一般安装在电源线的入口处，容量为芯片储能电容总容量的10倍以上。如果线路板上芯片较多，每10 ~ 15片设置一个二级储能电容。这个电容同样要求串联电感尽量小，应该使用钽电容，而不要使用铝电解电容，后者具有较大的内部电感。 * 线路板电磁兼容设计的目的，除了保证电路工作可靠以外，一个主要的目的就是减小线路板的电磁辐射，保证设备在较低的屏蔽效能下满足有关标准的要求。由于一个电路的电磁辐射和接收的能力往往是一致的，即一个电路的电磁辐射效率高，往往接收效率也高。因此，在设计中抑制线路板的电磁辐射，同时也就提高了线路板的抗干扰能力。 辐射源：线路板的辐射主要产生于两个源，一个是PCB走线，另一个是I/O电缆。根据辐射驱动电流的模式，辐射分为差模辐射和共模辐射两种。 差模辐射：电路工作电流在信号环路中流动，这个信号环路会产生电磁辐射。由于这种电流是差模的，因此信号环路产生的辐射称为差模辐射。 共模辐射：当传输信号的导体的电位与邻近导体的电位不同时，在两者之间就会产生电流。即使两者之间没有任何导体连接，高频电流也会通过寄生电容流动。这种电流称为共模电流，它所产生的辐射称为共模辐射。在电子设备中，电缆的辐射主要以共模辐射为主。 说明：由于共模电压都是设计意图之外的（除了电场波发射设备以外，没有任何设备是靠共模电压工作的），因此共模辐射比差模辐射更难预测和抑制。 * 对差模辐射，用电流环路模型用来进行分析，公式中各量的定义： I = 环路电流（A），A = 环路面积（m2），D = 观测点到环路的距离（m）， Z0 = 自由空间的阻抗（377?） ， ? = 电流频率所对应的波长（m） 从公式得出以下结论： 1 近场区内：磁场的辐射强度与频率无关，这个公式对直流也是适用的。磁场的强度随距离的三次方衰减。因此利用增加距离来减小磁场强度是十分有效的方法。 2 近场区内：电场的辐射强度随频率呈线性增长，随距离的平方衰减。结合磁场的情况，可以理解磁场辐射源产生的电场波的波阻抗的变化，由于磁场随距离衰减快，电场衰减慢，因此随着距离的增加，波阻抗减小。 3 近场区内：场强随距离衰减很快。 4 远场区内：电场和磁场随距离衰减的速率是一样的，都是与距离呈反比例衰减。 5 远场区电场与磁场的比值（波阻抗）：是定值，为377?。 6 远场区内：电场和磁场强度随频率的平方增加，因此，电子设备会辐射出频率比想象高得多的电磁波。因为，较小的高频电流就能产生很强的辐射。 由于大多数电磁兼容标准中仅对电场辐射强度提出了限制，并且，由于大多数标准的测量条件都属于远场区，因此远场区电场强度的公式用得最多。 * * 对于电缆的共模辐射，用这组公式来估算其辐射强度。公式中各量的定义为： I = 导线中的电流（A），L = 导线长度（m），D = 观测点到环路的距离（m）， Z0 = 自由空间的阻抗（377?）， ? = 电流频率所对应的波长（m） 要注意，公式中的电流为共模电流。与差模电流不同的是，共模电流的实际值很难预先估算出来。 从公式中可以看出： 1 近场区内：磁场的辐射强度与频率无关，这个公式对直流也是适用的。磁场的强度随距离的平方衰减。 2近场区内：电场的辐射强度随频率增加而减小，随距离的三次方衰减。这与电流环路的情况正好相反。这里，由于磁场随距离衰减慢，电场衰减快，因此随着距离的增加，波阻抗增加。 3 近场区内：场强随距离衰减很快，这一点与电流环路是相同的。 4 远场区：电场和磁场随距离衰减的速率是一样的，都是与距离呈反比例衰减。 5远场区电场与磁场的比值（波阻抗）：是定值，为377?。 6 远场区内：电场和磁场随频率的增加线性增加，这一点与电流环路不同。 与电流环路同样的理由，在设备电磁兼容性满足与否的预测中，常用下面的公式： E = 2Z0 I L / (2? D) V/m * 对于电