第二章薄膜的化学制备方法.pptVIP

CVD反应能否进行的热力学判据是什么？如何避免反应中异相成核过快或同相成核？ 2. CVD反应体系必须具备三个条件是什麽？ 3. 写出CVD 沉积Si、SiO2、Si3N4、GaAs薄膜的反应方程？各采用什么类型的CVD装置？ 4. 说出APCVD、LPCVD、PECVD的原理和特点。 作业 旋转立式 对系统尚有冷壁和热壁的区别 冷壁CVD：器壁和原料区都不加热，仅基片被加热，沉积区一般采用感应加热或光辐射加热。缺点是有较大温差，温度均匀性问题需特别设计来克服。 适合反应物在室温下是气体或具有较高蒸气压的液体。 热壁CVD：器壁和原料区都是加热的，反应器壁加热是为了防止反应物冷凝。管壁有反应物沉积，易剥落造成污染。 热壁CVD的应用： 1. 由于上述原因，热壁反应器主要被用于实验室研究给定前驱体做CVD的可行性。 2. 因为巨大的受热表面积能完全消耗前驱体并提供高的反应产物产率，因此，热壁CVD也常常用于确定反应产物的分布。 3. 热壁反应器通常不在工业上使用或者用于反应动力学的定量测量；然而，却广泛用于具有高蒸气压前驱体的半导体和氧化物的CVD。 冷壁反应器的特点及应用： 1. 冷壁反应器CVD被广泛用于实验室和工业生产； 2. 尽管冷壁反应器相对于气流不同的方向通常仅容纳一片半导体晶片，但是可以控制压力和温度，可以使用等离子体，反应器壁上不会发生沉积，不易发生同质反应，能获得比热壁反应器高的沉积速率； 3. 由于易于实现表面反应控制的动力学，冷壁反应器也被用于测量动力学参数； 4. 对于生产应用通常选择单一晶片冷壁反应器，因为这样 能更好地控制涂层性能。 2. 封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 （六）常压CVD（APCVD） SiO2的沉积（低温CVD） 特点：低温、常压、生长速率大、沉积膜疏松 外延Si沉积设备 TiC，TiN，Al2O3等APCVD沉积 （七）低压化学气相沉积（LPCVD） 原理 早期CVD技术以开管系统为主，即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理与APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 LPCVD在微电子技术中应用广泛，用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物等薄膜，以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 由于薄膜的沉积速率与反应温度和反应气体浓度密切相关 用温度梯度补偿浓度梯度 即炉管分段加热，沿气流方向温度逐渐升高。 2.改进反应气体的进入位置和方式 即用计算机模拟气流的流动方式，在炉管的 不同位置流进合适的流量。 分段加热 进气调节 如何提高LPCVD沉积薄膜的均匀性？ T1 T2 T3 LPCVD LPCVD 优点： （1）低气压下气体分子的平均自由程大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了因气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感，所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。 P15 （八）等离子增强化学气相沉积（PECVD） 在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反应气体，因此，薄膜沉积温度一般较高。 如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，使沉积温度降低。 这种等离子体参与的化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。用来制备化合物薄膜、非晶薄膜、外延薄膜、超导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线。 PECVD是指利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应的CVD技术。广泛应用于微电子学、光电子学、太阳能利用等领域。 按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型。 1. 直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVC） 2. 射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVC） 3. 微波等离子体化学气相沉积（MW-