电气测试技术第九章霍尔式传感器.ppt

广东机电职业技术学院 霍尔效应 通电的半导体，在垂直于电流和磁场的方向上（即平行于电流和磁场方向所形成的平面两侧）将产生电动势的现象。 + I + + + + + － － － － － － Ｂ l w d P型半导体霍尔效应原理图 VH 左手定则： B穿过手心， 四个手指为电流指向， 则大拇指为洛伦兹力方向。 第九章 霍尔式传感器 问题：如果是N型半导体呢？ FE FL V 第一节 工作原理 霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的一个物理效应。在一个通有电流的导体中，如果施加一个垂直于电流方向的磁场，由于洛伦兹力的作用，电子的运动轨迹将产生偏转，从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压，这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。 次年，霍尔又在磁性金属中发现了无需外部磁场的霍尔效应，称为反常霍尔效应。（而不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是霍尔反常效应。霍尔反常电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。） 从那时起，霍尔效应就像一个富矿，一代又一代科学家为之着迷和献身，他们的成就也多次获得诺贝尔物理奖。 ? 1980年左右，德国科学家冯·克利青发现了整数量子霍尔效应，获得1985年诺贝尔物理奖。 　 1982年，美籍华人物理学家崔琦和施特默等发现了分数