雪崩光电二极管专利技术综述.docVIP

  • 17
  • 0
  • 约3.36千字
  • 约 5页
  • 2017-03-03 发布于北京
  • 举报
雪崩光电二极管专利技术综述.doc

雪崩光电二极管专利技术综述   摘 要:本文对雪崩光电二极管(APD)的专利申请趋势出发,对国外申请的APD相关专利的技术主题及申请人进行统计和分析,并结合今年来APD研究热点对其发展进行分析。   1.引言   近50年来,雪崩光电二极管(APD)在商业、军事和科研领域有着广泛的应用[1]。在通信领域,高速APD因为其更高的灵敏度和足够的速率被列入下一代光传输系统的规划中。在10G光接入网(IEEE 802.3av),40G和100G光以太网链接(IEEE 802.3ba)中,雪崩光电二极管被作为可采用的解决方案。此外,工作在盖革模式(Geiger Mode)下的APD,其工作在高于击穿电压而获得极高的增益和高灵敏度,从而被作为微弱信号探测并投入产业化,其相关技术已非常成熟。近年来,随着量子保密通信[2]的兴起,APD作为可选的单光子探测器方案,在成熟的产业制备技术的支持下,其在量子保密通信的研发也方兴未艾。本文从APD在各个方面应用的专利分布对APD的发展趋势及现状进行分析。   2.APD专利发展趋势分析   图1为APD国内外专利申请趋势图,国外专利在申请量上较国内有绝对的优势,该申请趋势图中未包含1990年以前申请的专利,但必须提到,在上世纪70年代左右由于激光测距和激光雷达的兴起[3],APD作为其关键器件之一,其研究和产业化出现了迅速的提升并于90年

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档