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半导体物理-上海交通大学-成人高等教育
上海交通大学成人高等教育学位课程考试大纲
课程名称:半导体物理学
专业名称:电子科学与技术
课程总要求:通过半导体中电子运动规律及其性质的学习,引导学生了解半导体物理的基本分析方法;从半导体中载流子的运动规律出发,掌握半导体的基本导电理论,为学习《半导体器件基础》和从事电子科学技术相关的专业工作打好基础。通过学习要求学生对半导体物理的基本分析方法有较深刻了解,能从半导体中载流子运动的规律出发,分析处理半导体的基本导电理论,特别是 PN 结理论,同时对半导体表面,金属 - 半导体接触等相关问题。
考核知识点:
第一章 导论 半导体晶体
重点掌握
晶体的基本概念;
布拉伐格子;
单胞与原胞;
密勒指数。
第二章 平衡状态下半导体体材的特性
重点掌握
描述每个量子态被电子占据的几率随能量E变化的分布函数;
费米能级EF;
本征半导体的载流子浓度;
掺杂半导体的载流子浓度。
第三章 非平衡状态下半导体体材的特性
重点掌握
非平衡状态指的是什么;
载流子的漂移输运现象;
载流子的扩散输运现象;
电导率方程;
爱因斯坦关系;
布尔兹曼关系;
连续性-输运方程。
第四章 平衡和偏置状态下的PN 结特性
重点掌握
PN的能带图;
接触势;
PN结的偏置;
耗尽区厚度与电压的关系;
结电容。
第五章 PN 结的伏-安特性
重点掌握
肖克莱定律;
正偏条件下的 PN 结特性;
反偏条件下的 PN 结特性。
第六章 半导体表面和 MIS 结构
重点掌握
表面势;
p型和n型半导体在积累、耗尽、反型和强反型状态下的能带结构
MIS 结构的 C-V 。
第七章 金属-半导体接触和异质结。
重点掌握
金属和低掺杂半导体形成的接触;
肖特基势垒;
功函数;
半导体的亲和能。
学习教材与主要参考书:
教材:陆 鸣《半导体物理学》
主要参考书:刘恩科等《半导体物理学》(第6版)国防工业出版社
考试形式及试卷结构:
1、试卷总分:100分
2、考试时间:120分钟
3、考试方式:闭卷,笔试
4、参考题型及比例:
填充题 共1题 每题10分 约10%
术语解释题 共3题 每题5分 约15%
作图题 共1题 每题20分 约20%
证明题 共1题 每题25分 约25%
计算题 共1题 每题30分 约30%
题型举例:
1,请给出图示晶面的密勒指数(Miller indices):
2,现有三块半导体硅材料,巳知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01 = 2.25×10 16/cm3;p02 = 1.5×10 10/cm3;p03 = 2.25×10 4/cm3。
分别计算
(]) 这三块材料的电子浓度。n01;n02;n03
(2) 判别这三块材料的导电类型:
(3) 费米能级的位置。
室温下硅的Eg = 1.12eV,ni = 1.5×10 10/cm3;
㏑1.5 = 0.405;㏑10 = 2.301
解:
(]) 根据质量作用定律,有
(2) 因为
p01 = 2.25×10 16/cm3 n01 = 1×10 10/cm3,故为p型半导体。
p02 = 1.5×10 10/cm3 = n02 = 1.5×10 10/cm3 = ni,故为本征半导体。
p03 = 2.25×10 4/cm3 n03 = 1×10 16/cm3,故为n型半导体。
(3) 室温下 T = 300K,kT = 0.026eV。
由 ,得
则对第一块半导体,有
即p型半导体的费米能级位于禁带中线下方0. 369eV处。
对第二块半导体,有
即本征半导体的费米能级位于禁带中线处。
对第三块半导体,有
即n型半导体的费米能级位于禁带中线上方0. 348eV处。
3,各向异性晶体中,能量E可用波矢k的分量表示:
试求出能替代牛顿方程F = ma的电子运动方程。
解:因为电子的运动速度可表为:
所以电子的加速度为
由于单位时间内能量的增加等于单位时间内力做的功,即
所以,
上式可改写为
显然,有理由定义晶体中电子的有效质量 m* 为
按本题所给条件, 分别求得
于是
;;
便是各向异性晶体中替代牛顿方程的电子运动方程。
4,己知一维晶体的电子能带可写成
式中a为晶格常数。试求:
(1) 能带的宽度;
(2) 电子在波矢k状态时的速度;
(3) 能带底部和顶部电子的有效质量。
解:
能带的宽度:
首先求能量的一阶导数:
其次求能量的二阶导数:
能量的极值由能量的一阶导数等于零决定,故令
考虑到上式仅当
才成立,由此得
n = 0, ± 1, ± 2, ± 3 ···
即
n = 0, ± 1, ±
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