【物理】第三章 门电路.pptVIP

3.1 概述 3.2半导体二极管和三极管的开关特性 3.2.1半导体三极管的开关特性 二、 MOS管的开关特性 1. N沟道增强型MOS管的结构 2.N沟道增强型MOS管的特性 3.MOS管的基本开关电路 4. P沟道增强型MOS管的结构 5.四种类型MOS管的特点 3.4 集成TTL门电路 3.4.1 TTL反向器（非门） 三、输入端噪声容限 3.4.2 TTL反向器的输入、输出特性 三、输入端负载特性 3.4.4 其他类型的TTL门电路 二、OC门 （2）“电平变换”功能 三、三态输出门电路 3.6 CMOS逻辑电路 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS反相器的输入、输出特性 3.6.3 CMOS反向器的动态特性 3.6.4其他类型的CMOS门电路 三、OD门 例用TTL门驱动CMOS电路： CMOS电路工作电压为3-18v，例电源电压VDD=10V，则低电平5V，高电平5V。 TTL门输出高电平对工作在10V 的CMOS电路来说则被认为低电平。 TTL门：低电平0.3V，高电平3.6V 解决方法：用OC门实现电平变换 Y TTL CMOS VDD=10V TTL门输出低电平由TTL决定（0.3V），高电平后级CMOS电源决定（10V） 第三章 1.电路组成和符号 T4 T5 T2 T1 A Y D B 1 1 EN Vcc T4 T5 T2 T1 A Y D B 1 Vcc A B EN Y A B EN EN Y 2.原理 当EN=1时，P点高电平，D截止，与非门正常工作： P 当EN=0时，P点低电平，D导通， T4截止 T5截止 输出呈高阻状态 三态 0 1 高阻 高阻 第三章 3.三态门的应用 （1）总线：用同一导线轮流传输若干个信号 A1 B1 EN1 EN A2 B2 EN2 EN An Bn ENn EN … 总 线 注意：EN1 、 EN2 … ENn同一时刻只有一个有效 （2）双向传输 EN=1时，G1工作，G2高阻，输出 EN=0时，G2工作，G1高阻，输入 1 EN D0 1 EN EN G2 G1 双向端口 第三章 CMOS：互补对称式金属-氧化物-半导体电路 Complementary-symmetry Metal Oxide Semiconductor 设T1 的开启电压为VGS(th)P，T2的开启电压为VGS(th) n 特点：无论VI为高电平或低电平，M1和M2总有一个导通，一个截止 M1是P沟道增强型MOS管，M2是N沟道增强型MOS管 一、电路结构 逻辑非关系 T1 T2 VO VI VDD iD VSS 一般 ，CMOS器件电源电压为3~18V T1导通 T2截止 T2导通 T1截止 1.组成 2.原理 第三章 电压传输特性 0.5VDD Vo VI VDD VGS(th)n ?VGS(th)p ? VDD 1/2VDD A B C D E F 电流传输特性 iD VI VGS(th)n ?VGS(th)p ? VDD 1/2VDD A B C D E F iD VDS VGS? VDS =VGS—VGS（th） iD VDS ? VGS ? ? VDS =VGS-VGS(th) 二、电压传输特性和电流传输特性 第三章 T1 T2 VO VI VDD iD VSS 电压传输特性和电流传输特性 AB：VIVGS(th)n，VGS2 VGS(th)n ，?VGS1?? VGS(th) p?， ?VDS1? ?VGS1- VGS(th) p ? ，M1非饱 和导通 (低阻电阻区)， M2截止，Vo=VoH=VDD BC：VIVGS(th)n ，VGS2 ? VGS(th)n ，VDS2 =VoVGS2- VGS(th)n ，?VGS1??，Vo? ， ?VDS1???VGS1- VGS(th) p ?，M2开始导通（饱和区）， M1非饱 和导通 CD：VI ? ，VGS2 VGS(th)n ，VDS2 VGS2- VGS(th)n ，?VGS1?? VGS(th) p ?， ?VDS1? ?VGS1- VGS(th) p ? ，M2和M1 ，饱和导通； DE：VI ? ，VGS2 VGS(th)n ，VDS2 VGS2- VGS(th)n ， M2非饱 和导通（低电阻区） ，M1饱和导通； EF：VI ? ，?VGS1?=VDD-VI? VGS(th) p ?， M2非饱 和导通（低电阻区），M1截止区 VN≈1/2VDD，抗干扰能力最强 三、噪声容限 第三章 一、输入特性 1.保护电路 必要性？ 栅