AlCl3NH3反应体系起始反应的量子化学计算.pdfVIP

第25卷增刊 真空科学与技术学报 SCIENCEAND 2005年12月 JOURNALOFVACUUM TECHNOI_DGY(CHINA) 9 王君陈长琦朱武陈 明 刘 珍 (合肥工业大学机械与汽车工程学院合肥230009) Quantum CalculationofInitial of Reaction Chemistry StageAICl3+NH3 and Zhen WangJun，ChenC娜，ZhuWu，ChenMillg Liu and (S矾oo／ofMechamcd of Auwmobde，H扣UmversnyTec／mo／ogy，魄向，230009，仇m) Abstract method罐theelectron funcbonaland QⅨ岫瑚chem坞uycalculauon懈performed，klBed蚰B3LYPdensity theory 6-311++Gunderstandthethreedifferent ofreacuonand mAINfilmand／or groulm。to posslble蛐halstages of^dCl3NH3 powdergrowth．The ofboththereactantand moleculeswere therelated vanables，denvedwlIlI geomemcalconfigunmom product oponuzed；andtllamocIyn删c usedinthehnenccalculanonOurcalculanonwellwltll andthesmmlabonsdone frequencTanalys坞．were agrees experiment byothertech— m(Ille8· mtnde Keywords reaction，Reactmnmechamsm，Aluminum Quantumchermstry，Gas-phase 摘要利用Ala3+NH3反应体系制备氮化铝材料时，体系的初始反应可以按照三种不同路径进行。本文利用密度泛函 热力学参数，对基元反应进行热动力学计算。通过比较，各计算结果和实验值及其他方法计算结果较好吻合。 关键词量子化学气相反应反应机理氮化铝 6 中图分类号：0641 文献标识码：A 文章编号：1672-7126(2005)增-009-03 氮化铝(A1N)属于典型的nl-v族半导体化合学的不足，进而揭示这类反应的本质[5]。 物，具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介 电常数和介电损耗、无毒以及和硅相匹配的热膨胀 1 AlCl3+NH3反应体系 系数，可以广泛应用在电子材料中。另外，氮化铝高 利用觚13和NH3反应制备氮化铝粉体及薄膜 的声传播速率和低的传播损耗，使其在表声波 材料具有成本低、反应温度低等特点[4|，根据Timo． (SAW)器件中得到应用[卜3l。 氮化铝粉体及薄膜制备有很多种方法【卜3J，其 中化学气相沉积方法(CvD)具有工艺稳定，批量大 反应路径(见图1)。 等优点被认为是一种前景广阔的途径[4|。