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Al晶界中Ti杂质效应的第一原理计算 奎垩邓胜华吕广宏张颖王天民 (北京航空航天大学理学院， 北京100083) 摘 要 本文用第一原理赝势方法计算和研究了掺杂Ti对Al∑9晶界的影响，所处理的超晶胞由4个 方向为√玉。，其中‰是Al的晶格常数。为了保持三维周期性，在[221]方向引入了两个对称 的晶界，如图1所示。 G．B G．B． (nm) 0．8 富0．6 m 口 亘0．4 f o2 O．0 三瓣一 00 0．5 1．0 1 5 2．0 2．5 3．0 一X(sidea) (nm) 图1 超晶胞在[1lo]方向的横截面 算了电子基态密度。首先，我们计算了纯AI晶界的驰豫原子结构，然后把位于晶界的4个AI原 子置换为Ti原子(如图1中用半填充球标出的原子位置)，再进行驰豫计算，直到作用在每个原 eV／nm。 子上的Hellman．Feynman力均小于O．5 图2 表1 单位：rim 通讯联系人：邓胜华，E—mail：也堕塑g@坠望翌曼连堕坚：堡 图2给出了掺Ti之后计算得到的结构，其中考虑到对称性只画出了超晶胞中相邻两层(灰色 球为A层、黑色球为B层)的左半部分。掺杂时，E为Ti原子替换Al原子的位置，图中标出的 G，F，E，H，J原子间距离(包含了Z方向的微小变化)的计算结果列在表1中。Ti掺杂后， 相对于纯铝结构，EF和EH距离增大，FG和HJ距离减小。 图3给出了计算得到的B层和A层的左半部分电子密度图。(B-a)和(B-b)分别对应于无 掺杂和Ti掺杂时B晶层的情形，(A．a)和(A．b)分别对应于无掺杂和Ti掺杂时A晶层的情形。 对比图3中(B-a)与(B-b)可得出，在Ti原子附近，电荷密度明显增加，在体内区域，相邻 Al原子之间的电荷密度也有所增加，特别是沿[“O]方向电子密度增加更显著。由图3中(A．a) 和(A-b)可知，在无杂质的晶层中，晶界处以及体内相邻铝原子间的电荷密度也有所增加，在 [11O]方向表现得更加明显。对此现象本文给出了相应的物理解释。 总之，在我们所研究的Al晶界中掺入杂质Ti后，晶界略有膨胀，晶界处的电子密度明显增加， 这可能意味着在晶界处形成了相对掺杂前更强的键，即Ti的掺杂可能会使Al晶界强度增加。有关 Al晶界掺杂后的应力和应变关系正在研究中。 图3