CatCVD法制备硅薄膜及其在TFT中的应用进展.pdf

LCD 2006 基金项目：国家863计划资助项目I2004AA303560J 刘少林1，2，邹兆一1，庞春霖3，付国柱2，邱法斌1 3001 1．吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春1 2，E—mail：chuanshaoke@163．com： 2．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心，吉林长春130031 3．清溢精密光电(深圳)有限公司。广东深圳518057 主要起高温下催化分解作用，因此本文沿用“Cat—CVD”的 摘要 名称。 目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄 膜，但是由于PECVD中等离子对si薄膜的损伤以及淀积薄 2Cat．CVD反应机理 膜的温度很高的缺点，其在制备高迁移率的TFT的应用就受 3．1实验装置及催化材料 到了限制，新出现的催化化学气相淀积法(Cat—CVD)与 PECVD法相比，具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬 实验装置如图．1，图中所示除了多了一个催化丝外，反 底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点，将更有希 应设备几乎同于PECVD，在对反应机理研究成熟后，必须做 望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat—CVD法的工一些改进，以减小污染，减少催化丝对衬底的温度辐射等，将 作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结，归纳了各种在后面进行说明。 催化丝材料，并对当前Cat—CVD技术研究中的不足及其以后 进气口 的研究发展进行了讨论。 催 关键宇 硅薄膜薄膜晶体管化学气相淀积法 1引言 随着有源平板显示产业的蓬勃发展，特别是LCD在周边 图1简单实验设备 集成驱动电路、以及OLED对TFT电流驱动的要求，需要提 Fig．1simpleequipment TFT)技 高TFT器件的迁移率，开发低温多晶硅TFT(LTPS 术就显得紧迫起来。传统的PECVD法由于在制备TFT有源 层薄膜的过程中等离子体对薄膜造成损伤以及不能低温淀积 多晶硅的缺点，使得它的应用受到了限制。因此，国际上各 研究机构和实验室长期以来积极的开发新的成膜技术，Cat— CVD就是在这样的背景下得到了发展。 1985年，HidekiMatsumura首次提出“Cat—CVD” Chemical (Catalytic VaporDeposition)的名称；1988年， Snrface DoYle等人将其命名为“EsD”(EvaPorative 图2改进后的实验设备 Decomposition)；1991年，Mahan等人在研究Cat—CVD的 Fig．2Improvedequipment 时候，将其命名为“Hot—CVD”(HotWireChemical Vapor Deposition)【1】。对反应机理的研究结果表明，催化丝对气体试验装置中的催化丝一般采用金属材料，但是个别研究 ● 1∞ 者发现石墨(c)以及一些特殊的陶瓷材料也能起到使气体催化经被报道)tls]，无等离子损伤，含氢量小的特点【16】，利用此方法制 分解的作用【2，3】。表l列出了常用的催化丝及其一般特性，根造的a—Si 据不同的反应条件。可选择不同的催化丝，目前研究得比较深入 相比较【10]，其最有前景作为激光晶化P—Si膜的前期膜材料，由 的是钨(W)这种材料。