一种用于增强热辐射吸收率的半导体金属复合薄膜结构.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学． 学术会议论文 编号：073205 一种用于增强热辐射／吸收率的半导体一金 属复合薄膜结构术 符策基，谭文长 北京大学力学与空天技术系，10087l 电话：(010Email：￡j量』延显Pk丛：曼立望：鱼塾 摘要 本文利用严格耦合波分析(RCWA)的方法数值求解并分析了一个半导体硅和金属银组成的复合薄膜结 构，该结构的界面具有周期性的微槽(光栅)结构。结果显示该复合薄膜结构的频谱热辐射／吸收率与 单一硅薄膜的频谱热辐射／吸收率比较有如下优势，高于硅能隙频率的频段的频谱热辐射／吸收率可被 wave) 大大增强而使低频段部分保持低热辐射／吸收率。增强原因是由于界面处的电磁表面波(surface 被激发以及微槽多级衍射波的相互作用或两者兼有。通过调整微槽周期和填充因子可对该复合薄膜结 构的热辐射／吸收率进行优化。这种结构在热光电能量转换系统(TPV)中有潜在用处。 关键词：严格耦合波分析，热辐射，薄膜结构，电磁表面波 引言 对热光电转换系统(TPV)或类似装置，其性能不但依赖于热源的辐射特性，而且 取决于热电材料的光／热辐射特性。简言之，热电材料吸收的热辐射越多，其产生的电 能未必就越多，只有能量高于热电材料的能隙的那部分被吸收的入射光子能被转换成电 能，其余部分没用。所以，一个高性能的TPV要求其热源的热辐射率在高于热电材料的 能隙的频段要大，而低于热电材料的能隙的频段要小。另外，对热电材料，如果其对高 频段的热辐射的吸收率大而对低频段的热辐射的吸收率小，则TPv的转换效率越高。但 对于大尺寸的均匀材料而言，调控其热辐射特性并非易事。 近几年来，研究发现光晶体结构在调控材料的热辐射特性方面具有很大的优点 [卜3]。但另一方面，光晶体结构复杂，加工起来非常困难。对金属材料和某些极性非 金属材料，通过在其表面加：1『：=出周期性的微槽(光栅)结构也可以改变其热辐射特性 [4—8]，这是由于电磁表面波的激发并通过微槽结构与热辐射波耦合而达到增强其热辐 由于电磁表面波是非辐射波，其波矢幅度大于辐射波的波矢幅度，故不能直接与辐射波 耦合，而通过光栅结构的散射使其波矢与辐射波的波矢之间满足光栅方程，从而达到电 +国家自然科学基金资助项目 696 磁表面波与热辐射波的耦合以增强热辐射[5]。必须指出，对不同材料，可激发的电磁 表面波的波长不同，例如，SiC，Si02和高掺杂Si的电磁表面波真空中的波长都大于5肿， 而金属铝和银的电磁表面波真空中的波长可位于紫外区域。所以，不可能在近红外区域 不可能在近红外区域被激发。另外，自然界的材料支持的电磁表面波只有TM偏振的， Metamaterials)或其他一些复杂结构得到[9，10]。 这里，我们设计和分析一个半导体硅和金属银组成的复合薄膜结构，该结构的界面 谱热辐射／吸收率及结构内的电磁场分布。结果显示该复合薄膜结构的频谱热辐射／吸收 率与单一硅薄膜的频谱热辐射／吸收率比较有如下优势，高丁．硅能隙频率的频段的频谱 热辐射／吸收率可被大大增强而使低频段部分保持低热辐射／吸收率。增强原因是由于界 面处的电磁表面波(sur白cewaVe)被激发以及微槽多级衍射波的相互作用或两者兼有。通 过调整微槽周期和填充因子可对该复合薄膜结构的热辐射／吸收率进行优化。这种结构 在热光电能量转换系统(TPV)中有潜在用处。 分析 本文所研究的复合薄膜结构如图l所示。厚为凶的硅薄膜与厚为以的银薄膜之间有 一周期为人的微槽结构，微槽的深度为岛，厂为填充因子，即在微槽结构的一个周期 中，厂A部分为银占有，其余部分为硅。假设该复合薄膜结构在J轴方向和，轴方向是 无限大的，且置于空气或真空中。为了研究该结构的热辐射率和吸收率，设想一平面