介孔+SiO2微球硫化锌纳米晶的制备及发光性能.pdfVIP

坠竺! 型业! !：竺坐竺!竺坐!盖墨；巡i茎鲎鐾鲨篓婆型!业竺!型：竺!竺! 介孔si0，微球@硫化锌纳米晶的制备及发光性能 王玉辉， 顾锋， 邵玮， 李春忠 (4#$肌L^{¨¨#{1j』#々％自‰¨#d*b』qⅢ#H∞j^女§Z、±*2002371 摘要：通过溶液化学往制备7半导体．j：【化辞蚺米6☆组装的卉孔氧化#微球，井采ⅢXRD、SEM、吸收谱、蕞光光 谱等手段研兜T限域作介孔孔逆内的硫化锌蚋米*的结构和光学忡能．优表Wn孔mtf一的旋化辞为25rim．舟孔钮 化6坷L遵起刨r女苫的限域教＆，荧光光谱ⅡT出叫Ⅱ的缺陷忐艇光 关键词卉孔氰化硅，r#件纳米晶：纽装 l前言 最后将|“般的介孔微球从反应溶液中离心．纾热处 理后即口J得}愠终产物 介孔材料冈具有极大的比嵌面积{、高的孔容、自 序的孔道结构及均刮嗣的扎道尺0(2-50啪)、表 X．射线衍射仪删得(石墨”色器，铜靶 D／max—yA 皿易于化学改惟等优点，近年来引起关汁研究发 54I 2010 (护1 8A))氨气吸附．脱附测试山型；为ASAP 现，介孔材料特殊的孔道结构町以对掺杂的光学活性 的容视吸附分析仪来实现：场发射扫描也镜(sEMl麒H 基阿起到根¨的尺』限制作川，、组装功能群体后， 采崩FEI 表现出良好的兕‘}特性，如表现…荧光增强或发光峰 H南型号为JSM6360L扫描电镜删甜：紫外吸啦光谱 蓝移等现象…II．VI旗半导体化含物具有特殊的非线 500丹光光度计测得：荧光性能是采用 山Cary 性光学性质，良好的光敏发光驶电敛发Jt特性、娃著 FAinbu础FLS920型荧光光谱仪在市温r删得 的晕子尺、j效应和其它重耍的物王f|i化学性质81当其 在介孔孔道中合成时．扎道可抑制品粒的长大，也可 3结果与讨论 防止纳米晶的网采；爿外由rt导体纳米材料束缚j二 罔1丝示了得到的微球的{]描电镜照片，微球粒度 介孔孔道中，避免了与外邦环境的直接接触．在定 较均匀，约1um 程度上提高了材料的稳定性拒本文中，我们以介孔 微球为载休，利用规整的球彤膨貌及介4L4L道对材料 口 的尺J限制作用，探索制备r硫化锌半导体纳米材 料，研究r其光学性能 2实验部分 介孔氧化硅微球的合成”首先将1}?、烷丛胜被 簟一 溶觯在由100ml异内醇、90mlH20和1．4mlNH40H(28 ％)组成的均匀溶液中，随后加八12mllF硅酸已酯 ，灞I 虬， 霹。 (TEOS)．将溉台好的溶溃密封。在常温F静置24小 罔1得刮的介孔微球的扣揣电镜m片 时，经过滤、洗涤后．存600“CF热处理6小时对十