基于分子模拟的二氧化硅介电常数温特性规律的研究.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct2005 ofSiehuan ScienceEdition) V01．42Issue2 第42卷增刊2 Joumal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)022*0094—05 基于分子模拟的二氧化硅介电常数温度 特性规律的研究 谢小军，成永红，崔浩，陈小林，冯武彤 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049) 摘要：作者将分子模拟技术应用于材料介电性能研究中，以了解介电常数随温度变化规律的问 题，从而有效地分析相关的微观结构特性．首先利用分子动力学对微观结构模型进行恒温下的 分子动力学计算，然后对于该动力学结构模型再进行第一性原理计算，得到该温度下能带结构 和介电常数等．通过改变分子动力学设定的温度，得到不同温度下材料微观结构的变化情况以 及介电常数随温度的变化规律作者分析了二氧化硅晶体微观结构和介电常数之间的关系， 得到费米能量、禁带宽度和晶胞体积成反比关系的规律，建立了二氧化硅晶体介电常数和温度 之间的关系． 关键词：介电常数；分子模拟；分子动力学；第一性原理；微观结构 中圈分类号：TM85 文献标识码：A 引言 介电性能是电介质材料最重要的性质之一，并且介电性能随温度的变化规律也一直是电介质物理研 究的重点，然而利用现有的实验方法无法得到与介电特性相关的微观参数变化的关系．在高温情况下现 有的实验方法均无法有效测量材料的介电特性，这都严重制约了材料介电性能研究的进一步发展 计算机模拟技术、理论分析与实验测定一起成为现代科学研究的3种主要方法，分子模拟技术是计算 机模拟的一个熏耍分支，是近年来国际上研究的热点．分子模拟技术可以从微观角度揭示材料的结构与 性质的关系，预示各种化学、物理现象的模型，解释物质微观和宏观性质的联系…．然而，目前分子模拟技 术在材料介电性能方面的研究尚不多见， 我们将分子模拟技术应用于材料的介电性能研究中，以便有效地分析材料宏观性质与物质内部微观 运动过程及原子组态的关系。从而得到由实验所无法测量的极限情况下(例如高温)的数据，从而提高材料 介电性能研究和利用的能力和水平． 2分子模拟计算 根据绝热近似，我们将分子动力学和第一性原理相结合，计算不同温度下材料的介电特性，由于二氧 化硅是到目前为止研究最详尽的物质之一，并且二氧化硅在高温下的应用也非常广泛，因此将二氧化硅作 为研究对象，分析二氧化硅材料随温度变化(包括高温下)的介电特性，并分析相关的微观结构，这对于二 氧化硅的介电性能研究和材料改性具有重要意义 2 1分子建模 分子建模是分子模拟的基础，这是一个动态过程，需要在仿真计算中不断修正，最终达到最为合适的 收稿日期：2005—08．31 作者简介：谢小军(1980一)，男，博士研究生，Email：xjxle@mal[：xjtuedu．cn 增刊2 谢小军等：基于分子模拟的二氧化硅介电常数温度特性规律研究 95 模型图l为siQ晶体模型，该晶体结构为三斜晶系，空间群为 54052nm，，采用3× P3121，晶胞参数为n=b=0．4913nm，c=0 3×3的超晶胞，包含189个原子 2 2分子动力学计算 分子建模以后，就进入模拟计算阶段，由于需要得到不同湿 度下材料的介电特性，而在建模过程中，只能得到基态时的分子 模型．而根据绝热近似，可以在考虑电子运动时认为原子核处于 它们的瞬时位置上，当考虑原子核的运动时则不必考虑电子在 图1 Si嘎的晶体模型 空间的密度分布情况，因此可以将多电子体系电子组态的计算 model