基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 广东珠海 基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟 余志平田立林 (清华大学微电子学研究所北京100084) 摘要：随着器件沟道长度由数十纳米到几纳米不断缩小，多栅结构(包括FinFET)被普 遍认为是有效改进厶。／厶什的手段。量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已 被认识和加以研究多年。在沟道截面被局限在数纳米量级时，一个更基本的固体物理问题， 即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性，逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的 影响。本文讨论如何从第一原理出发，高效率地计算沟道区的能带结构。在得到载流子的 输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上，通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程 以得到器件的电学特性。考虑到应力对能带结构和散射机制的影响，载流子迁移率与晶向 的关系也得以研究。 1一般讨论 硅CMOS集成电路技术的进一步发展受限于两个因素：如何以大量生产的方式加工纳 米量级的特征尺寸，以及在改进或保持驱动电流的前提下控制器件的关态(off-state) 漏电流。前者的解决方案有尽可能延长193纳米光刻技术的应用寿命，包括采用“沉浸” (immersion)技术用提高介电常数的办法来降低有效光波长。后一目标的达到，则可通 过材料(高五栅介质、高沟道迁移率材料，包括应变硅和锗沟道，等)和器件结构(多栅) 的改进。 为了减少在新型材料和器件结构选择和优化上的实验成本和耗时，而更主要的是避免 研究的盲目性，需要在进行实验的同时甚或之前，有理论的导向和定量的分析。半导体器 件计算机模拟和模型建立就是一个有力的辅助设计工具。尤其是当器件工作的基础 好的预测性。 在MOS器件处于深亚微米(0．35微米技术节点及其后)范畴时，量子力学效应主要 体现在影响载流子在垂直于沟道方向上衬底表面和多晶硅栅靠近栅介质处的分布[1]。近 年来，因为沟道长度进一步缩小到亚100纳米，量子力学对载流子沿着沟道方向输运，包 括隧穿，的影响也引起了广泛的注意。在计算机模拟和SPICE电路集约模型的研究方面都 有很好的进展[2]。 为了在沟道不断缩短的前提下，有效地控制关态漏电流，理论分析[3]已指出必须合 理地设计器件结构以实现尽可能小的定量表征短沟效应的“特征长度”。采用超薄沟道层 thin (UTB：ultra body)的双栅结构[4]或沟道截面在十几纳米量级的FinFET[5]可以实 现即使沟道长度短到5纳米时的正常器件特性。在这样小的空间局限区域，不仅能带会解 简并成低维度的子带，晶体中电子结构也会发生性质上的变化(如由间接带隙并为直接带 隙)，进而影响到载流子的输运参数。 以上这些因器件尺度在三维方向(沟道长度及沟道截面)都进入数纳米到数十纳米范 畴带来的材料、器件特性的改变引入了新一代器件模拟器的概念。这种模拟器要结合基于 原子层次(atomistic)能带计算和自洽求解薛定谔方程(以及其衍生的载流子输运、连 续方程)、泊松方程以达到准确模拟器件电特性的目的。 本文的组织如下：第2节综述在二维量子力学效应模型上的进展；第3节讨论用第一 原理(DFT)和紧束缚(TB)计算低维能带结构；第4节是有关量子输运方程的求解以实 现器件模拟的目标；最后一节是结论。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 广东珠海 2二维量子力学效应模型 MOSFET沿沟道方向的量子力学效应，主要表现在源漏之间的隧穿电流，影响到器件的 漏端电流。然而，这一方向的量子效应也会影响垂直于沟道方向上表面势阱中基态能级这 一事实却一直为人们忽略。这种二维量子力学效应直接影响了器件的阈值电压。其定量关 系最近被建立在SPICE的集约模型中[2]。建模的过程是基于wI(B理论，得到沿沟道方向一 维薛定谔方程的近似解。然后利用“局域化”概念，重新定义二维电子气的最低子能带(即 基态)底，从而将沿沟道方向的源漏间量子隧穿效应折算成对垂直沟道方向的阈电压的修 正。 “局域化”的概念如图1所示。隧穿几率因能量自势垒顶部往下而逐渐减小。确定一 个几率(比如说4％)，所对应的能级历，其上为非局域态，其下则为局域态。这个分隔非 局域态和局域态的能量被称为“子带边界”。这样由于水平方向上的