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電漿原理 電漿態為物質除氣、液、固三態之外的第四態，主要是由一團帶正、負電荷之氣體粒子所形成的，而且在正常狀況下，正電荷的總數等於負電荷的總數。而電漿的產生是靠電子在電場中加速，此極高動能的電子，碰撞氣體原子或分子而產生解離，形成一正離子和一電子。氣體在特殊的環境條件影響之下，由氣體分子解離為原子，再形成帶電的離子與電子團，且維持電中性的狀態下，稱此種氣體為電漿(plasma)。在一個真空低壓系統的環境中，利用直流、交流、射頻電波或微波(microwave)的放電以激發氣體分子離子化，是一種常見形成電漿的方法。此種利用放電形成電漿的溫度有別於高溫電漿(high temperature plasma)，特稱為低溫電漿(low temperature plasma)。 當直流、交流、射頻電源供應器施加一個電場於真空低壓系統中兩個相對電極板上，此高壓電場可加速在於氣體中極微量的游離電子，如果加速的游離電子具有足夠能量，當其碰撞氣體分子或原子時便發生激發或原子離子化作用的現象，電子與氣體分子或原子發生碰撞後動能轉移產生離子及電子，再經電場加速引發其他離子化作用，因此產生了大量的離子化氣體與電子，此種激發狀態下之粒子並不穩定而部份會回到基態，因釋放能量而發光，即所謂輝光放電(glow discharge)；而電漿能持續維持輝光放電，就是維持離子化(ionization)、解離(dissociation)、激發(excitation)、再結合(recombination)、輻射(radiation)及電荷轉移(charge transformation)等反應穩定持續的循環[18] [19]。 離子化： 解離： 激發： (：Excitation state) 再結合： 輻射： 電荷轉移： 2-3-2濺鍍原理 在真空的環境中，以靶材為陰極，並在濺鍍的過程中通入惰性氣體(通常為氬氣)，由於靶材接陰極，促使高能量的正離子加速並撞擊靶材表面，使靶材濺射出的原子在基板表面進行沉積的過程稱為濺鍍如圖2-4。 濺鍍製程是在薄膜沉積方面最基本也是最常見的應用方法，濺鍍系統分為DC、RF濺鍍系統，兩者最大差別在於DC只能用於濺鍍材料為導體性質，而RF則可用於導體、半導體及絕緣體的材料濺鍍。 靶材 陰極 電漿層 X光 光子 濺鍍粒子 e- 二次電子 M M e- e- e- 陽極