第五章。射频化合物半导体技术素材.ppt

射频III-V族化合物半导体技术 2003.10 成都 内 容 限 定 化合物：元素半导体……（Ga,Te,Se,Ge,Si…..) III-V族：SiGe、SiC、II-VI族半导体…… 射频（RF）：光、热、敏感、低频…… 实用性成熟：低维结构（量子点、量子线、量 子谐振隧穿……） ABCS（锑化物基半导体） 内 容 III-V化合物半导体特性的吸引力与发展历程 微波应用对半导体特性潜力的挖掘 器件设计：“掺杂工程”——“能带工程” 材料制造技术：基础材料——“功能材料” III-V宽禁带高温半导体技术 III-V化合物微波单片集成电路技术 结论 III-V化合物半导体的特性 优势与发展历程 III-V化合物半导体的主要吸引力 ? 材料的多元性（二元、三元及多元）：大大地提高器件设计的灵活性与性能优化的潜力 ? 更高品质的载流子输运特性：满足高频、高速器件的基本要求 ? 直接能隙半导体：光电子发射 ? 高频、高速、微波、光电应用电路的一体化：对全功能性材料的追求——单片化多功能集成电路技术 III-V化合物半导体发展历程 化合物半导体的历史与元素半导体同样悠久 发展遇到的最大困难是材料生长的困难 化合物材料技术的发展（晶片直径、外延技术）直接推动新原理器件的诞生与应用 GaAs、InP单晶体生长的难点 ? 合成与生长：熔点温度下高挥发（As、P） ——高蒸汽压、纯化学配比 ? 高温生长——坩堝沾污 ? 高温高压——不完整性：缺陷、位错 III-V半导体材料技术的发展直接推动器件与应用的进程：例 III-V化合物半导体技术发展里程碑 ? 晶体合成与单晶拉制： GaAs：1956；InP：1968 ? 器件研究：GaAs GUNN 1963 ? 三极管：GaAs MESFET 1970 ? 异质结三极管：GaAs：HBT 1977；HEMT 1980；PHEMT 1985 InP：HEMT 1987 ? 单片集成电路（MMIC）：GaAs 1976；InP 1990 ? 宽禁带半导体三极管器件：GaN HEMT 1993 ? 宽禁带MMIC：GaN HEMT MMIC 2000 我国III-V化合物半导体技术的历程 GaAs单晶拉制：1961（1959） GaAs GUNN二极管研制：1964（1963） GaAs MESFET研制：1975（1970） GaAs MESFET MMIC研制：1980（1976） GaAs基HEMT研制：1984（1980） GaAs材料合成试验：1959（1956） GaN HEMT研制：1999（1993） RF与微波器件的工作机理推动对 III-V半导体特性的深入挖掘利用 射频应用对半导体特性、效应的深入挖掘 ? 传统（二极管、三极管）器件特性的充分利用： I-V特性的利用：线性、非线性、大动态范围 结电容特性的利用：线性、非线性 沟道电导调制效应的利用 ? 电子在高场下的漂移特性： 迁移率的非线性、电子饱和速度 ? 高能电子在强场下的特殊行为： 碰撞引起载流子倍增与雪崩倍增 导带子能谷之间的电子谷间转移 微波半导体器件特性的非线性利用 ? I-V特性的非线性区效应： 产生信号频率的谐波、分谐波成分—— 变频、倍频、分频 Schottky 二极管、检波二极管、混频二极管、 隧道二极管 ? 结电容的压控特性： 改变谐振回路频率及Q值——宽带信号源 变容二极管、阶跃二极管 ? 沟道电导的非线性调制： 用于RF信号的衰减、限幅 PIN二极管、限幅二极管 电场下载流子行为：漂移与饱和 ? 电子极限速度：饱和速度vs ? 微波器件性能：低场迁移率?n与高场饱和速度vs的 综合效应 MESFET、HEMT、PHEMT、HFET、MHEMT、HBT III-V族化合物半导体的速场特性 化合物半导体器件内的高场效应：雪崩与体效应（GUNN效应） ? 高能电子高速漂移运动引起的载流子碰撞、雪崩 IMPATT（雪崩二极管） 高能电子在化合物半导体（GaAs、InP）导带子能谷间 转移 “快”电子——“慢”电子引起半导体内的偶极子疇： 正效应：GUNN效应与器件 副效应：干扰某些器件正常工作状态 GUNN二极管