晶体管原理-1415ff概要.ppt

第三章 双极结型晶体管 小信号电流的四个阶段变化： 定义:输出端对高频小信号短路（vcb=0，但VCB0）条件下的共基极高频小信号短路电流放大系数为-- (2)渡越时间的分散使得 减少 基区少子高频小信号电荷控制方程: 少子从发射结注入基区后，经过 的时间后能达到和定态一样的分布。在延迟时间 内，集电结还取不到少子电流。 超相移因子或剩余相因子 m物理意义:发射极电流的变化，不能立即反映为集电极电流的变化，必须经过 的相位滞后，集电极电流才会变化,其后的相位滞后才由基区渡越时间所引起。m就是由基区渡越时间所引起的相移之外再附加部分因子。 4) 在复平面上的表示 5)缓变基区晶体管的 高频小信号电流放大系数与频率的关系 2)发射结扩散电容充放电时间常数 3)集电结势垒区延迟/渡越时间 4)集电极延迟时间常数 ——集电结势垒电容充放电时间常数 5) 共基极高频小信号短路电流放大系数与截止频率 极低频或直流小信号共发射极短路电流放大系数、或共发射极增量电流放大系数 （２）晶体管的特征频率 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2007.04.13 --Ⅱ.晶体管的频率特性 高频小信号电流在管中的变化 (1)发射区复合 (2)势垒电容充放电 (1)基区复合 (2)扩散电容充放电 集电结宽度的影响 集电结势垒电容的影响 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 基区输运过程—基区输运系数与频率关系 定义高频小信号基区输运系数: 少子寿命 ,单位时间复合几率（ ），在基区逗留时间 内复合损失占少子总数 ，则到达集电极的未复合少子占进入基区少子总数的（ ），即直流输运系数，是 中的因子,记为 1)渡越时间的作用 (1)复合损失使得 小于1 少子在基区的运动是热运动基础上叠加扩散(+漂移) 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 (3)时间延迟使相位滞后 中应包括 : 集电结上输出信号电流比从发射结输入信号电流在相位上滞后了 . 2)电荷控制法求 的意义：注入基区的每个少子，单位时间内被集电结取出的几率。基区少子总电荷 ，单位时间被集电结取走的电荷即 对于交流小信号: 加入基区复合损失： 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 3) 延迟时间与超相移因子 实际上，当发射结刚向基区注入少子时，集电结并不能立刻得到的电流。 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 则集电结取走少子的平均时间实为: 集电极电流比发射极电流再滞后一个相角: 令: 基区输运系数的精确式为: 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 _ 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 复平面上，半圆上P点轨迹就是 ,点A是直流输运系数 ， ， 向点0移动。 考虑超相移因子m时,将 替代 ,再延迟一个角 . 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 忽略扩散时 考虑漂移、扩散时 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 现代微波晶体管基区宽度亚微米，高频下必须计及ＰＮ结势垒电容、集电结势垒区宽度等的影响． 1)发射结势垒电容充放电时间常数—发射极延迟时间常数 发射极支路小信号等效电路 发射结增量电阻 发射结扩散电容充放电时间常数就是基区渡越时间 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 发射结的小信号等效电路 对CDE的充放电电流: 则: 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 少子越过集电结势垒区时间 定义：集电结势垒区输运系数 少子以有限速度通过势垒区时，改变势垒区的空间电荷分布，即改变势垒区内电场分布，产生位移电流， 产生电场的电力线终止于耗尽区边缘中性区上，有附加的正电荷来终止，对于集电区，就有电子离开那里流向集电极,形成传导电流 。 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 ：轻掺杂外延层，存在一定的体电阻 ：紧靠势垒区的本征集电极，内电极 定义： 集电极衰减因子 c 集电区小信号等效电路 b 一部分对 充电,一部分经