晶体管原理-3031短器件发展方向概要.ppt

第四章 场效应晶体管 热载流子效应 第四章 场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 21世纪微电子的核心技术：系统级芯片（SOC） (4) RF MEMS器件：利用MEMS技术制作的射频器件，可以提高器件功率效率，与传统的IC技术兼容，使得单片集成成为可能，并且具有体积小、重量轻、成本低、性能优越等优点. 3. 生物芯片技术 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.15 --2.短沟道效应 ---在强电场作用下,电子在两次碰撞之间会加速到比热运动速度高许多倍的速度,由于动能很大而称为热电子,从而引起“热电子效应”。 改进：(1)两次离子注入; (2)外加衬底偏压。 问题：穿通电流受VGS控制弱；VDS很大时将导致穿通击穿。 热载流子：能量比费米能级大几个 kT 以上的载流子 (1)横向电场Ey足够大时, 沟道电子在纵向电场作用下注入到栅氧化层中;A (3)耗尽区内热激发产生电子-空穴对;C (2)漏区附近强电场Ey使高能电子碰撞电离产生电子-空穴对; B 短沟道MOSFET中产生IG的原因 --2.短沟道效应 沟道热电子效应为主。 (1)VT正漂; (2)跨导gm下降; (3)亚阈电流IDsub增大。 (1)双扩散D-MOSFT; (2)采用偏置栅结构; (3)埋沟结构。 产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在。抑制热电子效应的措施: 沟道长度越短,热电子效应越严重。 IG的出现表征着热电子效应的存在,且IG的大小可用来衡量热电子效应的大小。 第四章 场效应晶体管 MOSFET的发展方向:沟道长度L不断缩短 *优点: 对于分立器件可提高跨导和最大工作频率，对IC可以提高速度、增大集成度和降低功耗。 *缺点: 阈电压下降；阈电压不稳及跨导退化。 改进—恒场按比例缩小 当MOSFET沟道长度缩短时,器件的其他各种横向和纵向尺寸以及电压也按一定的比例缩小。 ①栅氧化层与半导体界面处的纵向电场强度不变; ②沟道横向电场强度不变; ③耗尽区内电荷面密度不变; 第四章 场效应晶体管 --3.微电子器件的发展方向 ⑤阈电压 VT’=VT/K; ⑥最高工作频率 fT’=KfT; ⑦功耗 缩小1/K2; ⑧门延迟 缩小1/K; 优点:面积小、速度快、功耗低。 ④跨导不变; MEMS技术 第四章 场效应晶体管 --3.微电子器件的发展方向 MEMS概念 ： MEMS(Micro-electro-mechanical systems) 即微电子机械系统 是微电子技术与机械、光学等领域的结合，是微型SOC系统。 与其它MEMS的通信/接口(光/电/磁) 力 光 声 温度 化学 其它 传 感 器 执 行 器 运动 能量 信息 其它 模拟信号处理 数字信号处理 模拟信号处理 第三章 双极结型晶体管 --3.微电子器件的发展方向 MEMS技术的特点：3个M概括，即小尺寸（miniaturization）、多样化(multiplicity)、微电子(microelectronics) (1) 光学领域 MEMS在光技术领域中的应用较广泛，已经形成MEMS技术中的一个重要分支技术即微光机电系统（MOEMS: micro-opto- electro-mechanical systems）； MEMS技术与不同的技术相结合，便会产生一种新型的MEMS器件。 (2) 运输与航空航天 大量MEMS传感器的使用可以实现汽车的智能驾驶及无人驾驶。在航天方面，MEMS器件的质量轻、尺寸小的优势得到了很好的发挥,微卫星和纳米卫星的研制应运而生； (3) 科学仪器 具有智能化、多功能化、高灵敏度优势的MEMS技术，给科学仪器带来巨大的变革，产生了各种微小型MEMS专用仪器； 第三章 双极结型晶体管 --3.微电子器件的发展方向 RF MEMS开关与现有的半导体FET或PIN二极管开关相比，其优点是 ： （1）减少了开关动作中的电阻损耗，其中静电式RF MEMS开关动作所需要的功耗仅为纳焦耳数量级； （2）有很高的隔离度； （3）改善了开关的互调失真和开关的负载能力； （4）多种微加工技术使得RF MEMS开关可以做在多种衬底上。 第三章 双极结型晶体管 --3.微电子器件的发展方向 概念 ：生物芯片（Biochip）--计算机芯片。由于最初的生物芯片的主要目标是用于DNA序列的测定、基因表达谱鉴定和基因突变的检测和分析，所以又被称为基因芯片（Genechip）或DNA芯片 由来---今后医疗手段的发展方向，