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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 CHINESEJOURNAL 0ct．2006
ANovelX-BandsRFMEMSSwitchwithEnhancedPower
Handlings
DONG
Qiao-hua。，LIAO
Xiao—ping
MEMS
(KeyLaboratoryof ofMinistryofEducation，SoutheastUniversity，m可ing210096，China)
MEMSswitchforRF iS novelthree structurewasusedtosolve
Abstract：A applicationspresented．A plate
RFselfactuationandRF without stress．TheRF was matc—
any improved
latching adding performance by
thecharacteristicoftheswitch．Theelectromechanicalcharacteristicwassimulated
hing impedance by
CoventorWareandthe is26V．The andtheRF ofthe
pull—involtage impedancematching performance
switchwere switchiS
simulatedHFSS．Whenthe in‘off’state，thereturnlOSSiSbelow一28dB，andthe
by
insertlOSSiSlessthan0．25dBat switchattainsanisolationofmorethan28
x-bands．The‘on’state dB．
MEMS
words：RF
Key switch；highpower；selfactuation；latching
EEAoC：2575；2180
新颖的可增强功率处理能力的并波段RFMEMS开关
董乔华。，廖小平
(东南大学MEMS教育部重点实验室，南京210096)
摘要：介绍了一种可用于射频系统中的微电子机械开关，通过新颖的三层板结构解决了高功率带来的自执行和自锁效应，
个X波段，开关“开”态时的回波损耗低于一28dB，插入损耗小于0．25dB；“关”态时的隔离度大于28dB．
关键词：RFMEMS开关；高功率；自执行；自锁
中图分类号：TN43 文献标识码：A
射频微电子机械器件／系统(RFMEMS)给射频电容耦合式的变容比直接影响开关的射频性能[5]．所
通信领域带来了新的生机，已经成为人们的研究热 以具体设计需要具体分析．随着研究的深入，RF
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