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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
AND
2006年10月 CHINESEJOURNALOFSENSORSACTUATORS Oct．2006
forLoadLimitationof Silicon
Analysis SquareShapedBoron-Doped
XUChen。，SHI Lin—lin，LIBo，SHEN
Meng-yu，ZHAO Guang～di
Electronic
OptoelectronicTechnologyLaboratory，Collegeof InformationControl
，Beijing Engineering，、
100022，China ，
＼BeOingUniversityoftechnology，Beijing
the total
residualstress，thestress solutionsfor boron-
Abstract：Considering analytical square-shaped
silicon with this
deflectionare totalstress solutionand
doped diaphragmslarge presented．With analytical
Griffithfracture
criterion，themaximum andloadlimitationthe boron—
displacement P。。of square-shaped
silicon arecalculated，andtheresultswellwiththe results．
doped diaphragms agree reportedexperiment
Loadlimitationnot relatedwiththe andthedimensionof also
P。。is only shape depend—
diaphragms，but
entonmaterial thefabrication
characteristics，especially
process．
Key stress；fracturestress；load
words：MEMS；Square-shapeddiaphragm；residual
fractlarecriterion
方形重掺杂硅薄膜的极限载荷分析
徐 晨‘，施梦娱，赵林林，李 博，沈光地
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