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NAND闪存芯片的深入解析
NAND闪存芯片的深入解析
2006年09月18日
图1 不同闪存单元的对比
NOR闪存的随机存取时间为0.12ms,而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多
NAND基本操作
以2Gb NAND器件为例,它由2048个区块组成,每个区块有64个页(见图3)。
图3 2GB NAND闪存包含2,048个区块
每一个页均包含一个2048字节的数据区和64字节的空闲区,总共包含2,112字节。空闲区通常被用于ECC、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能,尽管它在物理上与其它页并没有区别。NAND器件具有8或16位接口。通过8或16位宽的双向数据总线,主数据被连接到NAND存储器。在16位模式,指令和地址仅仅利用低8位,而高8位仅仅在数据传输周期使用。
擦除区块所需时间约为2ms。一旦数据被载入寄存器,对一个页的编程大约要300μs。读一个页面需要大约25μs,其中涉及到存储阵列访问页,并将页载入16,896位寄存器中。
除了I/O总线,NAND接口由6个主要控制信号构成:
1.芯片启动(Chip Enable, CE#):如果没有检测到CE信号,那么,NAND器件就保持待机模式,不对任何控制信号作出响应。
2.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。
4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。
5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。
6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路,需要采用上拉电阻。
数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候,待编程的数据进入数据寄存器,处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据,要采用专用指令以便于随机存取。
数据寄存器输出数据的方式与利用RE#信号的方式类似,负责输出现有的数据,并增加到下一个地址。WE#和RE#时钟运行速度极快,达到30ns的水准。当RE#或CE#不为低的时候,输出缓冲器将为三态。这种CE#和RE#的组合使能输出缓冲器,容许NAND闪存与NOR、SRAM或DRAM等其它类型存储器共享数据总线。该功能有时被称为“无需介意芯片启动(chip enable dont care)”。这种方案的初衷是适应较老的NAND器件,它们要求CE#在整个周期为低(译注:根据上下文改写)。
输入寄存器接收到页编程(80h)指令时,内部就会全部重置为1s,使得用户可以只输入他想以0位编程的数据字节
带有随机数据输入的编程指令。图中加亮的扇区显示,该指令只需要后面跟随着数据的2个字节的地址
所有NAND操作开始时,都提供一个指令周期(表1)。
当输出一串WE#时钟时,通过在I/O位7:0上设置指令、驱动CE#变低且CLE变高,就可以实现一个指令周期。注意:在WE#信号的上升沿上,指令、地址或数据被锁存到NAND器件之中。如表1所示,大多数指令在第二个指令周期之后要占用若干地址周期。注意:复位或读状态指令例外,如果器件忙,就不应该发送新的指令。
以2Gb NAND器件的寻址方案为例,第一和第二地址周期指定列地址,该列地址指定页内的起始字节(表2)。
注意:因为最后一列的位置是2112,该最后位置的地址就是08h(在第二字节中)和3Fh(在第一字节中)。PA5:0指定区块内的页地址,BA16:6指定区块的地址。虽然大多编程和读操作需要完整的5字节地址,在页内随机存取数据的操作仅仅用到第一和第二字节。块擦除操作仅仅需要三个最高字节(第三、第四和第五字节)来选择区块。
图6:典型的存储方法
图7 页读缓存模式
总体而言,NAND的基本操作包括:复位(Reset, FFh)操作、读ID(Read ID, 00h)操作、读状态(Read Status, 70h)操作、编程(Program)操作、随机数据输入(Random data input, 85h)操作和读(Read)操作等。
将NAND连接到处理器
选择内置NAND接口的处理器或控制器的好处很多。如果没有这个选择,有可能在NAND和几乎任何处理器之间设计一个“无粘接逻辑(glueless)”接口。NAND和NOR闪存的主要区别是复用地址和数据总线。该总线被用于指定指令、
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