西北工业大学材料科学基础第8章习题-答案.doc

1.???????? 固态相变时形核的阻力，来自新相晶核与基体间形成界面所增加的界面能Eγ，以及体积应变能(即弹性能)Ee。其中，界面能Eγ包括两部分：一部分是在母相中形成新相界面时，由同类键、异类键的强度和数量变化引起的化学能，称为界面能中的化学项；另一部分是由界面原子不匹配(失配)，原子间距发生应变引起的界面应变能，称为界面能中的几何项。应变能Ee产生的原因是，在母相中产生新相时，由于两者的比体积不同，会引起体积应变，这种体积应变通常是通过新相与母相的弹性应变来调节，结果产生体积应变能。 从总体上说，随着新相晶核尺寸的增加及新相的生长，(Eγ＋Ee)会增加。当然，Eγ、Ee也会通过新相的析出位置、颗粒形状、界面状态等，相互调整，以使(Eγ＋Ee)为最小。 母相为液态时，不存在体积应变能问题；而且固相界面能比液—固的界面能要大得多。相比之下，固态相变的阻力大。 ? 2.???????? 如同在液相中一样，固相中的形核几乎总是非均匀的，这是由于固相中的非平衡缺陷(诸如非平衡空位、位错、晶界、层错、夹杂物等)提高了材料的自由能。如果晶核的产生结果使缺陷消失，就会释放出一定的自由能，因此减少了激活能势垒。 新相在位错处形核有三种情况：一是新相在位错线上形核，新相形成处，位错消失，释放的弹性应变能量使形核功降低而促进形核；二是位错不消失，而且依附在新相界面上，成为半共格界面中的位错部分，补偿了失配，因而降低了能量，使生成晶核时所消耗的能量减少而促进形核；三是当新相与母相成分不同时，由于溶质原子在位错线上偏聚(形成柯氏气团)有利于新相沉淀析出，也对形核起促进作用。 ? 4.???????? 脱溶顺序为： T1温度，α－ θ’－ θ； T2温度，α－ θ”－ θ’－ θ。 判断一个新相能否形成，除了具有负的体积自由能外，还必须考虑新相形成时的界面能和应变能。由临界形核功可知，只有当界面能γα/β和应变能Es，尽可能减小，才能有效地减小临界形核功，有利于新相形核。在析出初期阶段，析出相很细小，此时应变能较小，而表面能很大。为了减小表面能，新相往往形成与母相晶格接近，并与母相保持共格的亚稳过渡相，以使体系能量降低，有利于相变。在析出后期，由于析出相粒子长大，应变能上升为相变的主要阻力，则新相形成与母相非共格的稳定相，以降低体系总能量。随时效温度不同，由于界面能和应变能的不同作用，将出现不同的亚稳过渡相。 ? 6.???????? 如果脱熔是在母相中各处同时发生，且随新相的形成母相成分发生连续变化，但其晶粒外形及位向均不改变，称之为连续脱熔。 与连续脱熔相反，当脱熔一旦发生，其周围一定范围内的固熔体立即由过饱和状态变成饱和状态，并与母相原始成分形成明显界面。在晶界形核后，以层片相间分布并向晶内生长。通过界面不但发生成分突变，且取向也发生了改变，这就是不连续脱熔。其主要差别在于扩散途径的长度。前者扩散场延伸到一个相当长的距离，而后者扩散距离只是片层间距的数量级(一般小于1?m) 不连续脱熔有以下特征： (1)??? 在析出物与基体界面上，成分是不连续的；析出物与基体间的界面都为大角度的非共格界面，说明晶体位向也是不连续的。 (2)??? 胞状析出物通常在基体(α’)晶界上形核，而且总是向。’相的相邻晶粒之一中长大。 (3)??? 胞状析出物长大时，熔质原子的分配是通过其在析出相与母相之间的界面扩散来实现的，扩散距离通常小于1?m。 ? 6．? A1Cu合金的脱溶系列有： GP区－θ过渡相－θ’过渡相－θ平衡相 脱熔相的基本特征： GP区为圆盘状，其厚度为0.3～0.6 nm，直径约为8 nm，在母相的{100}面上形成。点阵与基体α相同(fcc)，并与α相完全共格。 θ过渡相呈圆片状，其厚度为2 nm，直径为30～40 nm，在母相的｛100｝面上形成。具有正方点阵，点阵常数为a＝b＝0.404 nm，c＝0.78 nm，与基体完全共格，但在z轴方向因点阵常数不同而产生约4％的错配，故在θ附近形成一个弹性共格应变场。 θ 过渡相也在基体的{100}面上形成，具有正方结构，点阵常数a＝b＝0.404 nm，c=0.58 nm，其名义成分为CuAl2。由于在z轴方向错配量太大，所以只能与基体保持局部共格。 θ相具有正方结构，点阵常数a＝b＝0.607 nm，c＝0.487 nm，这种平衡沉淀相与基体完全失去共格。 时效的实质，就是从过饱和固熔体分离出一个新相的过程，通常这个过程是由温度变化引起的。时效以后的组织中含有基体和沉淀物，基体与母相的晶体结构相同，但成分及点阵常数不同；而沉淀物则可以具有与母相不同的晶体结构和成分。由于沉淀物的性质、大小、形状及在显微组织中的分布不同，合金的性能可以有很大的变化。 ? 7．? 2.6所示。 附表2.6? 调幅