真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响.pdfVIP

中国科协第四届优秀博士生学术年会论文集 真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响 陈建军 林晶 潘颐杨广义吴仁兵吴玲玲翟蕊 浙江大学材料与化工学院，杭州，310027 摘要在不同的真空度下，采用热蒸发硅碎片的方法，在PAN碳纤维上原位生长了不同形 等测试手段分析了产物的相组成，形貌及微结构。x射线衍射图谱表明产物中同时存在碳纤 维及D-sic相。选区电子衍射图表明所得SiC纳米线为单晶．考察了真空度对碳纤维原位生 长SiC纳米线的影响并讨论了SiC纳米线的VS生长机理。结果表明：真空度对SiC纳米线 的形貌、生长方式等都有影响。在低真空度(1．1Pa)的情况下，得到以碳纤维为轴呈发散状 阵列生长的棒状SiC纳米线；在较高的真空下(4x10‘2Pa)得到针状的SiC纳米线；在高真 空下(4x10刁Pa)得到直径约30nm的弯曲的SiC纳米线。热蒸发法碳纤维原位生长碳化硅纳 米线在陶瓷基复合材料、场致电子发射等领域具有潜在的应用意义。 关键词低维无机非金属材料；碳化硅纳米线；气一固生长机理；真空度 EffectofVacuumonInSituGrowthofSiCNanowireson CarbonFibers Chen Rui Jianjtin，LinJing，Pan Guangyi，WuRenbing，WuLingling，Zhai Yi，Yang AbstractSiCnanowireswere thethermal ofSi ontothePAN preparedby evaporationfragments carbonfibersatdifferentvacuum．The and oftheSiC phasecomposition，structuremorphology nanowires and XRD obtainedatdifferentvacuumwere TEM．The investigatedXRD，SEM using ofthe showsthatthe consisted andremainedcarbon． as—grown products productsmainly of]3-SIC Theselectedareaelectron overthesiliconcarbidenanowires diffraction(SAED)patterns demonstrate the thattheSiCnanowireshada ofvacuumon singlecrystallinephase．Ef南ct oftheinsitu SiCnanowiresWasobservedand mechanism morphology grown vapor—solidgrowth oftheSiC nanowiresis resultsshowthatthe oftheSiCnanowires proposed．The gro