半导体光电子学第五章第九章讲述.ppt

二、半导体光电探测器的性能参数 1. 量子效率和响应度 响应度R：定义为单位入射光功率作用到探测器上后在外电路中产生的光电流的大小， 2. 暗电流和噪声 散粒噪声 3. 响应速度 τ是探测器的响应时间 高频响应特性可以用带宽来表示 光生非平衡载流子输送到探测器外部电路这一过程的几个时间常数： 1、越过pn结的非平衡载流子的扩散时间。 2、载流子的漂移时间。 3、光电等效电路的RC时间常数。 半导体光探测器的高频响应带宽或截止频率的定义：在固定输入功率下，探测器锁探测的光电流下降到直流或低频值一般时所对应的频率，即常称的3dB响应带宽。 在光纤通信中要求半导体光探测器对入射的高速调制光信号能产生快速响应（光-电），有利于提高通信速度，降低误码率，要提高响应速度就需减少耗尽层电容，这意味着大面积的探测器探测高频调制信号不好用。加大耗尽层宽度可减少结电容，同时可提高量子效率，但却增加了载流子的渡越时间，所以吸收区的厚度要兼顾量子效率和响应速度，减小面积来减少结电容的同时还要考虑小面积与光纤耦合的问题。 在设计时需要综合考虑 4. 探测器灵敏度 1、半导体材料的材料参数对半导体光电探测器的的性能有哪些影响？ 2、什么是半导体光电探测器的量子效率和响应度？ 3、在光电探测器中，暗电流的产生机制有哪些？ 4、什么是光电探测器的响应带宽？如何提高其响应带宽？ 9.4 无内部倍增的半导体光电探测器 一、半导体中的光电效应 1. 外光电效应：电子溢出体外，制造各种阴极管、光电倍增管，半导体光电阴极 2. 内光电效应：光电导效应、光生伏特效应。 二、光电二极管 光生伏特效应： pn结形成 内建电场方向n到p 在n区和p区分别积累电子和空穴，形成光生电动势，方向p到n，饱和时 N P 空间电荷区－耗尽层 XN XP E E’ 太阳能电池的工作原理。 原理？ 为什么不适合高频使用？ 三、PIN光电二极管 量子效率大，速度快 四、光电导 效应是半导体材料的一种体效应，无需形成pn结，所以又常称为无结光电探测器，就是在光照下会改变自身的电阻率，光照越强电阻越小，故又称光敏电阻 1、PIN光探测器同PN光电二极管相比有什么优点？为什么？ 2、限制PIN光探测器响应速度的因素有哪些？ 五、半导体雪崩光电二极管（APD） 为了提高探测灵敏度和R，前面讨论的PIN光电探测器后面往往需要紧接一个分立的或与PIN集成的晶体管，这样使得接受的微弱信号得到放大。另一种方法是从探测器内部获得电增益。 电离系数或电离率、离化系数，它表示电子或空穴在倍增区内经过单位距离平均产生的电子-空穴对数，离化系数随场强按指数增加 雪崩效应 P区掺杂浓度对APD性能的影响 SAM-APD SAGM-APD separate absorption, grading, multiplication (SAGCM) APD的噪声特性 与PIN相比，APD的探测灵敏度提高了,总的噪声随调制速度的增加而增加，而灵敏度随调制速度的增加而减少，但APD的噪声源不同，除光电效应引起的噪声外，由光生载流子倍增过程中因增益的随机起伏产生了噪声，这使得APD的噪声高于PIN。 APD的倍增率（或倍增因子）与载流子的离化率和倍增区的厚度有关，而这两个参数均与反向偏压有关，倍增因子表示为 1、什么是雪崩倍增效应？ 2、APD同PIN光探测器相比有什么优点？为什么？ 3、在APD中，P区掺杂水平的过高或者过低对器件会有什么影响？ 4、什么是SAM-APD和SAGM-APD，同常规的APD比起来，它们有哪些明显的优势？ 5、什么是过剩噪声？如何避免？ 6、APD的响应速度取决于哪些因素？ 作 业 5.5 半导体激光器的光谱线宽 光谱线宽：定义为光谱曲线半峰处的全宽。 （Full Width at Half-Maximum—FWHM） 由于有源区内载流子密度的变化引起的折射率变化增加了激光输出中相位的随机起伏。 跃迁发生在能带之间，增益谱宽。 自发发射因子大得多（10-4对10-9）对。 减少模式和压窄线宽的措施是一样的。 线宽主要来源于相位的随机起伏。然而与固体、气体激光器不同，半导体LD中激光跃迁不是发生在两个分立的能级之间，而是发生在两个能带之间。 肖洛-汤斯线宽 相位噪声导致的线宽： 半导体激光器的线宽 与输出功率无关的线宽 原因：见教材。 作业:教材181页第7题 1、名词解释： 光谱线宽 2、造成与功率无关的线宽原因是什么？ 5.6 半导体激光器的瞬态特性 半导体激光器是电子与光子相互作用并能进行能量直接转换的器件。但当在激光器上施加瞬变的阶跃函数电注入时，在激光器内部将产生一些