飞秒激光参数对硅表面微结构影响的研究.docVIP

飞秒激光参数对硅表面微结构影响的研究.doc

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
飞秒激光参数对硅表面微结构影响的研究.doc

飞秒激光参数对硅表面微结构影响的研究   摘要: 为了制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的黑硅材料,在SF6气体氛围中,用一定能量密度的飞秒脉冲激光照射单晶硅片表面。针对激光通量和激光峰值功率这两个参量分别进行实验,具体分析了15 fs和130 fs脉冲宽度的飞秒激光脉冲作用下硅表面微结构的形成,不同实验条件下制备出的硅微纳结构也有明显的差异。研究表明,在同一背景气体下,激光的峰值功率对硅表面微结构的形成起着决定性的作用。   关键词: 表面微结构; 黑硅; 脉冲宽度; 激光峰值功率   中图分类号: O 0437 文献标志码: A doi: 10.3969/j.issn.1005-5630.2016.05.005   文章编号: 1005-5630(2016)05-0402-05   引 言   目前,激光技术的发展越来越迅速,采用激光技术对固体材料进行性质的改善和研究也越来越普遍。在特定气体SF6条件下,硅材料表面在飞秒激光脉冲的作用下会生成一种表面呈黑色的比较特别的微纳结构,能在表面产生这种微结构的硅材料称为黑硅[1]。与通常的硅材料相比,这种黑硅表面具有尖峰形态,形状呈椭圆形,在性质以及形态方面都有很大不同,大大改善了这种材料对光辐射的吸收性质,尤其对中红外波段以及近紫外线波段的光,其吸收的效率都超过了90% [2]。黑硅这种新材料的产生,使其在光伏电池以及光电探测等方面得到了广泛的应用[3-8]。目前,大量研究表明,激光的能量、脉冲的数目以及激光脉冲的能量密度等因素都会对黑硅材料表面的形态产生很大的影响。还有一些研究发现,拥有相对高的微小型尖锐锥状峰的黑硅材料会对光辐射产生更加好的吸收效率[9-10]。为制备出表面具有这种尖锐峰的黑硅材料需要选取适当的激光参数,因此,研究飞秒激光峰值功率、激光通量等对黑硅表面微结构形成的影响,找出对硅表面微结构的形成起决定性作用的因素,具有重要的现实意义。   本文着重研究了在SF6 气体条件下,飞秒激光峰值功率与硅材料表面生成的尖峰高度的关系。   1 实验过程   实验选取的样品为晶向 (100)、n型磷掺杂、厚度500 μm、电阻率0.01~0.02 Ω?cm的单晶硅。把硅片放在去离子水中清洗后,再经过甲醇以及丙酮溶液清洗以去掉硅表面的有机物和杂质。随后样品材料被放置于真空腔体内,两维步进电机安放于真空腔的下面,用于移动真空腔的位置。最后利用真空泵将真空腔内的气压抽到小于1.0×10-2 Pa后,再充入6.5×104 Pa的SF6气体。   图1为基于中空光线管系统[11]的15 fs激光脉冲制备微纳结构硅系统图,该系统利用中空光纤管系统,将激光器发出的130 fs脉冲激光压缩为脉宽15 fs的脉冲激光作为制备微纳结构硅材料的能量来源,飞秒激光经焦距为1 000 mm的光学透镜会聚,会聚后的激光通过真空室窗片(厚度为0.4 mm),然后直接垂直照射在样品上。130 fs脉冲激光制备微纳结构时,只需将激光器出来的激光直接通过焦距为1 000 mm的透镜到达真空腔体。   2 实验结果及分析   2.1 相同激光通量不同脉宽飞秒激光制备的微纳结构   激光的峰值功率P0可表示为   P0=(P*t)/(f*S*τ) (1)   式中:P为激光的平均功率;t为激光脉冲的作用时间;f为激光的重复频率;S为硅片表面的激光照射光斑面积;τ为脉冲宽度。因激光通量φ的表达式为φ=P*t/S,因此P0的表达式可表示成P0=φ/(f*τ)。因激光脉冲的作用时间t=m/f,所以激光通量φ=P*m/(f*S),m为激光脉冲数。激光通量对硅表面微结构的形成具有重要影响[11-12],在脉冲宽度以及激光通量相同的情况下,激光功率与脉冲数之间的比例对硅材料微纳结构的生成有着很重要的作用[7]。   激光通量在数值上与功率、脉冲数两者乘积有着正比的关系,而不同的激光功率以及脉冲数的组合所制备的微结构也不同[13],因此在研究相同激光通量不同脉宽时应保证激光功率与脉冲数的比例一致。因此,选取了以下两组参数分别制备了微纳结构硅材料样品:   (1)15 fs激光,P=650 mW,m=200 个 130 fs激光,P=650 mW,m=200 个   (2)15 fs激光,P=650 mW,m=500 个 130 fs激光,P=650 mW,m=500 个   图2为实验得到的硅表面微结构图,比较图(a)与图(b)可知,虽然制备两种样品的激光通量相同,但是制备出的微结构有着很大差异,测量可知15 fs激光制备的微纳结构峰高约为20.3 μm,而130 fs激光制备的微纳结构峰高只有3.8 μm左右。图(c)中15 fs激光制备的微纳结构峰高达到约28.5

文档评论(0)

yingzhiguo + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:5243141323000000

1亿VIP精品文档

相关文档