合成与制备方法复习题稿.ppt

* 在一个基片上沉积多层薄膜时采用模块式CVD： 多个反应室，不同薄膜分别沉积，互不干扰；基片通过机械手在真空下传递，不引入外界污染。 * 什么是气缺现象？如何减缓这种现象？ 在LPCVD系统中，因为表面反应速度控制沉积速率，而表面反应速度又正比于表面上的反应剂浓度，要想在各个硅片表面上沉积厚度相同的薄膜，就应该保证各个硅片表面上的反应剂浓度是相同的。 然而对于只有一个入气口的反应室来说，沿气流方向因反应剂不断消耗，靠近入气口处沉积的膜较厚，远离入气口处沉积的膜较薄 ，称这种现象为气缺现象。 什么是化学气相沉积？ 通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 简答和论述 (1)由于反应速度随着温度的升高而加快，可通过在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高沉积速率，补偿气缺效应的影响，减小各处沉积厚度的差别。 (2)采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入到反应室中。需要特殊设计的沉积室来限制气流交叉效应。(3)增加反应室中的气流速度。当气流速度增加的时候，在单位时间内，靠近气体入口处的沉积速率不变，薄膜沉积所消耗的反应剂绝对数量也就没有改变，但所消耗的比例降低，更多的反应剂气体能够输运到下游，在各个硅片上所沉积的薄膜厚度也变得更均匀一些。 化学气相沉积按照哪五个主要步骤进行？ (a)反应物已扩散通过界面边界层； (b)反应物吸附在基片的表面； (c)化学沉积反应发生，表面迁移； (d)部分生成物已扩散通过界面边界层； (e)生成物与反应物进入主气流里，并离开系统 雷诺数如何判断流动的方式？ Re2100, 层流 Re2100, 湍流 * 什么是定向凝固？ 在材料部分熔化状态下，通过移动固－液界面，以实现晶体特定方向生长。 途径：采用强制手段，在凝固金属和未凝固金属熔体中建立起特定方向的温度梯度，从而使熔体沿着与热流相反的方向凝固，最终得到具有特定取向柱状晶。 5-定向凝固 二元合金的凝固过程中固液界面液相区内形成成分过冷条件？1. 由于溶质原子在液相中固溶度固相中固溶度，当单向合金冷却凝固时，溶质原子被排挤到液相中去，在液相一侧，形成溶质原子的富集层。随着离开固液界面距离增大，溶质质量分数逐渐降低。2. 在凝固过程中，由于外界冷却作用，在固液界面固相一侧不同位置上的实际温度不同，外界冷却能力强，实际温度低；相反实际温度高。如果在固液界面液相一侧，溶液中的实际温度低于平衡时液相线温度，出现过冷现象，形成固相的可能性而影响界面的稳定性。 如何判断液固界面稳定性（对平界面、胞晶、枝晶形态)？ 晶体生长过程中 若不存在成分过冷，当平直的固液界面上产生凸起，过热的环境会将其熔化，平面界面继续保持。 若界面前沿存在成分过冷，界面前沿形成的凸起会因为处于过冷区而发展，平界面失稳，导致树枝晶的形成。 * 什么是液态金属冷却法（LMC法）？常用的液态金属有哪些？在快速凝固法的基础上，以液态金属代替水，作为模壳的冷却介质，模壳直接浸入液态金属冷却剂中，散热大大加强，以至在感应器底部迅速发生热平衡，造成很高的温度梯度。 实验室：Ga-In合金和Ga-In-Sn合金 工业应用：Sn液  * 什么是连续定向凝固技术（OCC法） ？ 铸型温度高于金属或合金液的凝固温度。铸型只能约束金属或合金液的形状， 而不会在其表面发生金属的凝固。凝固界面通常是凸向液相的。这一凝固界面 形态利于获得定向或单晶凝固组织。 例如：制备单晶铜导线 传统连铸与OCC法原理对比示意图 冷却距离 6-固相合成方法的概念 * 低热固相反应 在室温或近室温（≤100℃）的条件下，固相化合物之间所进行的化学反应。 固相反应经历四个阶段： 扩散——反应——成核——生长 低热固相反应的温度很低，一般在小于100℃。在通常情况下仅需要反应物在玛瑙研钵中研磨即可。 固相反应一旦发生即可进行完全，不存在化学平衡。 知识点 * 靠分子间力(范德华力)相连，晶格容易变形，外界分子容易地嵌入 固体 分子固体 —— 延伸固体 一维固体 二维固体 三维固体 —— 低维固体 零维晶体 —— 稳定性最强 反应活性最强 化学键作用仅在分子范围内有效，作用最弱，分子的可移动性强 化学键作用贯穿整个晶格，致密的结构，外界物质难进入 反应活性 固体结构对其反应性的影响 零维结构一维结构二维结构三维结构 固相合成的原理是什么？ 起始于两个反应物分子的扩散接触，生成的产物分子分散在母体反应物 中，只能当作一种杂质或缺陷的分散存在。当产物分子集积到一定大小 ，才能出现产物的晶核，从