阴极热蒸发动态测试的研究.pdfVIP

：、一二。一℃耍!套蛳熬t÷j；瑚激然熬发劫怒测试韵研究_q》1 c‘jj 7㈠+ ·。曩j‘阴蝥装。专腆擎至掣j蓟’瓣凳再卣磐’璇蛸爱。i攀：釜涛。守罐粮。i ：·+÷■资¨露州≯鬈≯：：i (中国科学院电子学研究所北京 100080) 潮文{诤．斗、支}j菩善乏瑟二艇?手p?誓：膏蓬：爻々《一9叠已pf磊≈i；，j}_l，誊；i ：-㈡：；一元{趣；． 摘要为了实现阴极热蒸发的动态测量，在前人采用石英晶体振荡法静态测量阴极蒸发的 基础上，本文开展了基于同样原理的动态测试研究。研究表明，在晶振片遭受阴极熟辐射冲击的 情况下，开展阴极蒸发的动态测试是完全可行的；研制的阴极热蒸发的动慈铡铽蒙统’，一一谢以大面 积和较为简便地捕获阴极热蒸发物质，能够提供阴极在蒸发不同隅特焉|{撼蒸赫襁鹩辙信 息。系统研制成功为今后制备低蒸发阴极提供了强有力的检测手段。 关键词：覆膜钡钨阴极；蒸发；晶体振荡法：动态测量 0引言 覆膜钡钨阴极由于可支取高密度电子流，被广泛用于高功率微波器件中。随着微 波器件不断向高功率方向发展，要求阴极能够支取更大的电流密度，为满足器件的设 计要求，阴极往往要在较高的温度下工作，这必然导致阴极热蒸发增大。覆膜钡钨阴 极是由多孔钨金属基体、浸渍盐和贵金属膜共同组成的，其热蒸发能力的大小取决于 相关的多种因素：阴极基体(钨海绵体)的孔隙率、浸渍物BaO：A1：0。：CaO的摩尔比、 被覆的薄膜种类(Os、Ir、W／Os等)、其他特殊处理工艺及参数(如浸盐工艺及表面 除盐措施)等等。由于影响因素很多，而阴极蒸发物暴露空气后立刻氧化吸潮，另外 不可能经常为检测阴极的蒸发能力而专门制造专用微波管，加之目前国际上还缺乏简 便有效的检测方法，因此如何对覆膜钡钨阴极蒸发能力进行快速检测，并从中获得尽 可能多的蒸发信息，已成为高功率微波器件研制中十分重要和迫切需要解决的问题。 早在1929年至1970年间，国际上就对阴极表面蒸发的测量方法进行了研究，报 道的主要测量方法有：Becker法n矗3|，接触电位移法、光学比较法、放射性同位素 法、质谱分析以及化学光谱分析法∞1等。1982年中科院电子所郭文湘采用晶体振荡法 进行了阴极蒸发的静态测量“3。通过进行对比和分析，我们认为，在诸多测试方法中， 基于晶体振荡原理的静态测量方法具有非常突出的特点，可大面积捕获阴极的蒸发， 检测较为简便。 考虑到覆膜钡钨阴极蒸发与时间的关系为复杂的函数关系，以及晶体振荡法具有 操作较为简便的特点，我们提出，应在采用晶体振荡法进行静态测试的基础上，开展 基于同样原理的动态测试研究。经过努力，目前，我们已建立起一套较为完整的阴极 蒸发动态测试系统，完成了相应测试技术的研究及规范，并成功地获得了部分阴极的 蒸发数据及蒸发曲线，为今后制备低蒸发阴极提供了强有力的检测手段。 1阴极蒸发动态测试系统的组成 图1为我们研制的阴极动态蒸发测试系统的示意图。该系统由真空系统、阴极机 械夹持装置、阴极加热电源、膜厚监测仪、计算机、恒温冷却装置、激光测距仪等组 瑚 成。 真空系统由机械泵、分子泵和离子泵组合而成，系统极限真空度可达到1×10～Pa： 阴极机械夹持装置可同时夹持4个阴极，被夹持阴极可左右、前后、上下移动，并可 绕真空室轴线转动；阴极加热电源用于加热阴极热子，可使阴极表面加热至1200℃ 以上；膜厚监测仪选用FTM膜厚监控仪，监控仪由晶振探头、晶体振荡器、同轴电缆、 电源、显示器等组成，该仪器可对晶片振荡频率进行连续采集和显示，采集频率为每 秒1次；专用计算机通过装载FTM5软件，可对膜厚监测仪的操作进行控制，并可对 晶片振荡频率进行同步采集和存储，并可进行后续计算和作图处理；恒温冷却仪采用 HX--2050型恒温循环器，该仪器可对晶振探头夹持晶片部分进行恒温冷却；激光测 距仪是我们组装的一种特殊装置，专门用于非接触测量真空室内阴极一晶振片间的距 离。 图l阴极动态蒸发测试系统示意图 2阴极热辐射对晶振片的影响及动态测量的可行性 为了捕获数量相对较少的阴极蒸发物，晶振片必须尽可能靠近高达900℃～1 200 ℃的阴极表面，这样做必然带来阴极热辐射使晶振片频率发生强烈移动的问题。在静 态测量情况下，无须了解高温过程，只需测出蒸发前后两个状态的晶振片频率即可， 因而可以避开热辐射对晶振片频率的冲击问题。动态测量则不然，其必须要测出蒸发 过程每一个瞬间的晶片频率，高温热冲击问题是其无法回避的关键问题。 为对阴极热冲击的作用及影响程度做出判断，我们对不同阴极、不同温度下热冲 击带来的频率变化进行了测量。测量的实验程序及测量过程中发生的现象如下：先使 石英晶振片在15℃下强行冷却并保温1小时，记录此时的频率为基频；阴极转动至 远离蒸发测量的位置并加热至规定温度，然后迅速将阴极