2004年秋季B答案要点.docVIP

哈工大 2004 年 秋 季学期 班号 姓名 集成电路设计原理 试 题 B (含答案要点) 题号 一 二 三 四 五 总分 分数 (20分)典型PN结隔离集成电路工艺中用到的光刻掩膜版有：硼扩散、引线孔、埋层扩散、磷扩散、隔离扩散、钝化窗口、金属引线。 （1）请按工艺流程的先后顺序对它们进行排序。（4分） 答案要点： 埋层扩散，隔离扩散，硼扩散，磷扩散， 引线孔，金属引线，钝化窗口 （2）硼扩散形成横向pnp晶体管的什么区？（4分） 答案要点： 集电区和发射区 （3）对于横向pnp晶体管，埋层扩散和磷扩散分别有哪些作用？隔离区划分原则是什么？（12分） 答案要点： 埋层扩散：减小基区串联电阻，减小寄生PNP管效应（加大 了寄生PNP管的基区，形成了寄生PNP管基区减 速场）。 磷扩散：形成基极的欧姆接触区，避免整流接触。 隔离区划分原则：基极电位相等的横向PNP管可以放在同一 个隔离区，否则各放在不同的隔离区。 第 1 页 （共 5 页） 试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 二、(20分)采用N阱硅栅CMOS工艺设计集成电路版图时用到的版图层次有：poly(多晶)，active(有源区)，contact(接触孔)，nwell(N阱)，pplus(P+注入)，metal1(金属1)，pad(钝化窗口)，metal2(金属2)，via(通孔)， （1）请按工艺流程的先后顺序对它们进行排序。（5分） 答案要点： nwell(N阱)，active(有源区)，poly(多晶)，pplus(P+注入)， contact(接触孔)，metal1(金属1)，via(通孔)，metal2(金属2)， pad(钝化窗口) （2）pmos管的源漏区是由哪些层次版图数据确定的？（8分） 答案要点： [nwell(N阱)]，active(有源区)，poly(多晶)，pplus(P+注入)， （3）哪个层次版图数据制作的掩膜版是用来进行局部氧化用的？局部氧化的作用是什么？（7分） 答案要点： active(有源区)版图数据制作的掩膜版是用来进行局部氧化用的。 局部氧化的作用： 加厚场区氧化层厚度，提高场区寄生MOS管的阈值电压； 降低表面台阶，避免布线易断条现象； 有一定的表面隔离作用，减小表面漏电流 第 2 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 三、（20分）双极型集成电路、NMOS集成电路和CMOS集成电路中，哪种集成电路需要抗静电设计？哪种集成电路需要抗闩锁设计？举例说明抗静电保护电路原理？ 答案要点： NMOS集成电路和CMOS集成电路需要抗静电设计； CMOS集成电路需要抗闩锁设计； 以电阻-二极管保护电路为例，电路如下图所示： 当输入信号电压在VSS~ VDD正常范围内时，图中的三个二极管均处于截止状态，不影响电路正常功能（引进了一定的电阻、电容）； 当输入端由静电产生较高的正电压时，Dp1正向导通，Dn1（Dn2）反向导通，将静电泄放掉； 当输入端由静电产生较高的负电压时，Dn1（Dn2）正向导通， Dp1反向导通，将静电泄放掉； R1起到限流作用，避免二极管由于过流而被烧毁； R2起到延迟作用，避免静电荷被泄放的同时加到输入栅上； 第 3 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 四、(20分) 分析图4给出的电路，阐述各个器件的作用。 答案要点： CMOS差分放大器 M1、M2构成差分放大器输入级 M3、M4构成镜像恒流源电路，作为差分输入级的漏极有源负载，一方面提高交流电阻，减小芯片面积，提高增益，另一方面实现单端化 （实现双端输入到单端输出的转换，且不损失增益）。 M5、M6构成镜像恒流源电路，M5作为差分输入级的源极耦合负载，提高电路的共模抑制比。 M7、M6构成偏置电路，形成镜像电流源的参考电路。 第 4 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 五、(20分)根据图5（a）~（d）