IGBT元件概述讲义.pptx

IGBT元件概述 半导体器件物理课程报告 报告人： 小组成员： 学校名称：西安交通大学 目录 CONTENTS 01 背景知识 02 发展历程 03 结构与工作原理 04 应用与未来 01 背景知识 01 背景知识 电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。其在功率变换技术的四个主要环节中 (输入整流、控制元件、逆变用电力电子器件和输出整流)扮演着不可或缺的角色。可以说是实现将“粗电”精炼成符合应用需要的“精电”的核心器件。 电力电子器件 电力电子器件主要有： 1.不可控器件，例如电力二极管； 2.半控型器件，例如晶闸管； 3.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效应晶体管） IGBT（绝缘栅双极晶体管）：复合全控型电压驱动式功率半导体器件 01 背景知识（什么是IGBT） 标题数字等都可以通过点击和重新输入进行更改，顶部“开始”面板中可以对字体、字号、颜色、行距等进行修改。建议正文8-14号字，1.3倍字间距。 01 背景知识 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）?兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，同时也克服了BJT尾电流拖曳和MOSFET耐压值不够的缺点 工作速度快、开关损耗小、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好、驱动功率小 载流量大、阻断电压高 IGBT 的“荣誉” 最先进功率电子器件 02专项重点扶持项目 电力电子行业的CPU 02 发展历程 MOSFET 优点： 开关速度快，工作区大 　 缺点： 占表面积过大 击穿电压低，工作电流小 LDMOS 漂移区：在沟道和高掺杂的漏极间，有一个低掺杂的n型区，称之为漂移区 可等效为一个MOSFET和一个电阻的串联，一定程度增大了耐压 缺点： 仍然没有解决横向线度过长的缺陷 ?Laterally Diffused MOSFET VMOS UMOS ?V-shaped U-shaped MOSFET 特点：1.漏极下移，纵向导电，有利于通过纵向减薄控制电流，减小了线尺寸 2.将原有晶体管分成两个相对独立的部分，是IGBT的雏形 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistors 03 IGBT结构及工作原理 IGBT结构 1.为了能让MOSFET在导通时有两种载流子参与导电，加入p+注入层（injection layer）,从而加入了正偏的J1结，增加了空穴注入效应 2.为了能快速关断，加入了n缓冲层（buffer），从而C注入的空穴被快速复合 3.S - C, D - E IGBT等效电路 IGBT等效电路 1.当VGEVT时，MOS管导通，MOS管的源极从PNP管的基极抽取电流，从而PNP管导通 2.当在C加正偏压时，PNP管的集电极流出电流，一部分经接地电阻流入信号地，一部分注入NPN管的基极，使得NPN管导通 3.NPN管进一步从PNP管抽取基电流 IGBT等效电路 输出特性曲线和转移特性曲线 04 应用与未来 04应用与未来 IGBT器件应用主要包括显示、照明、驱动、电源、电机调速、机车牵引和高压直流输电等领域。 应用领域 02 输入阻抗高、电压控制、电容输入、驱动电流小、控制电路简单、开关损耗小、开关速度快、频率响应好、工作温度高、热稳定性好等 优势 01 1) 场截止FS-IGBT：提高关闭速度 2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：提高饱和电流，降低饱和压降 新技术 03 IGBT的雏形，导通电阻和关断功耗都比较高，没有普及使用。 第一代 NPT-IGBT，用离子注入的技术生成P+集电极，保持基区载流子寿命而不影响稳态功耗，具有正温度系数特点 第三代 PT-IGBT，基区电场加强呈梯形分布，所以可以减小芯片厚度从而减小功耗。 第二代 Trench-IGBT，最大的改进是采用Trench结构，提高了电导调制效应减小了导通电阻，消除了JFET效应，有效特高耐压能力等 第四代 04 应用与未来 “透明集电区技术”与“电场中止技术”组合 第五代 在第五代基础上改进了沟槽栅结构，并以新的面貌出现 第六代 04 应用与未来 04 应用与未来 可以看出，IGBT的市场份额庞大，前景良好，备受青睐。 市场情况 THANK YOU! 《IGBT元件概述》 报告人： 小组成员： 学校名称：西安交通大学