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单晶片离子注入机垂直扫描机构差分密封的设计.pdf

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单晶片离子注入机垂直扫描机构差分密封的设计.pdf

回噩E噩噩黯B ·且艺与应用· 单晶片离子注入机垂直扫描机构差分密封的设计 胡代群1 ,刘求益2 (1.湘潭大学机械工程学院,湖南湘潭 411105;2. 中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙 41011 1) Design of the Differential Vacuum Seal for the Vertical Scanner of Series Process Ion Implanter HU Dai-qun1 咱 LIU Qiu-yi (1. School of Mechanical Engineering , Xiangtan University , Xiangtan 411105 , China; 2. The 48th Institute 0/ CETC , Changsha 410111 , China) Abstract: A differential vacuum seal for the vertical scanner was calculated and designed in this article. The differential vacuum seal is non-contact type. In the vertical scanner there is a small gap between the shaft and sleeves , and two stages outgoing gas grooves are formed on the sleeves. Though the small gap and two stages outgoing gas grooves , the sealing gas can be pumped out by two stages pumps. This type of seal can achieve no-friction and good performance seal , hence it can meet the requirements of high vacu um without metal contaminate for the chamber in the wafer process. 摘要:对垂直扫描机构差分式密封进行了设计和计算。差分式密封是非接触动密封,垂直扫描机构巾,轴和轴套之间有 微小的问隙,轴套上有两级差分抽气室,通过微小的问隙和两级差分拙气室,密封气体被两级真空泵抽出。这种密封能实现 元摩擦、性能好的密封,能最大程度满足晶片处理过程中对靶室高真空度及金属颗粒的要求。 关键词:离子注人机 5扫描机构;差分密封 中图分类号 :TNI05 文献标识码 :A 文章编号: 1002-8935 (2007 )02-0038-03 对于离于注入来说,靶室真空度的好坏和靶室 内金属颗粒数量的多少是影响晶片成品质量非常重 要的因素。如果真空度达不到要求,会导致离于束 发射度变大、束流损失增大、产生中性离子束以及引 起离子束的不纯等危害;如果靶室金属颗粒数量超 标,则会使晶片形成缺陷,当缺陷密度达到一定值 时,元器件就会失效。 垂直扫描机构起着传递运动的作用,它带动靶 盘作往复直线运动,其动力源是位于靶室外的直线 电机。要想将运动准确传递到靶盘,而又不引起运 动副过多的摩擦,同时又能不影响靶室真空度的话, 必须找到一种合适的动密封措施。 常用的动密封措施主要有两种:一种是接触式 动密封,例如 0 形橡胶圈密封和磁流体密封;另一 种是非接触式动密封,例如差分抽气动密封和分子 运动密封。 对于垂直扫描机构,显然不能采用接触式密封, 圃 2∞17 - 02 因为接触表面摩擦产生的金属颗粒会进入靶室,从 而影响成品质量,也不能采用分子运动密封,因为分 子运动密封只对旋转运动的轴颈有效。 最合适的是差分抽气式密封,如圈 1 所示,轴颈 和轴套之间有极微小的问隙空间为气体通道,它的 厚度通常是轴颈表面粗糙度的数倍。轴套沿轴方向 有两个差分抽气室,它们通过圆孔和外接真空泵连 接,在轴颈运动的同时开启真空泵,将两个差分抽气 室的工作压力维持在低水平 u 气体通道 1 将两个差 分抽气室、气体通道 2 将第二级差分抽气室和靶室 连接起来,由于气体通道的流导极小,因此两个差分 抽气室和靶室之间的压强差也就可以维持在高的水 平,从而使最终泄漏到靶室的气体量不会对靶室的 真空度造成破坏。如图 1 所示,在此差分拍气系统 中,第一级差分抽气室的长度 II 为 30 mm,气体通 道 1 的长度 l2 为 18 mm,第二级差分抽气室的长度 l3 为 30 mm.气体通道 2 的长度 l. 为 45 _mm.轴颈

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