用各向异性磁阻效应测量磁场实验目的.docVIP

用各向异性磁阻效应测量磁场实验目的：?1． 了解各向异性磁阻的原理并对其特性进行实验研究 2． 测量赫姆霍兹线圈的磁场分布 3． 测量地磁场实验仪器： ZKY-DCC 磁场实验仪，电源，水平校准仪，导线等。实验原理： 磁场的测量可利用电磁感应、霍耳效应以及磁阻效应等各种效应，其中磁阻效应法发展最快，测量灵敏度最高。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器就是利用磁阻效应制成的，可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关，隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。 磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR），各向异性磁阻（AMR） ， ，巨磁阻（GMR）庞磁阻（CMR）等阶段。本实验研究 AMR 的特性并利用它对磁场进行测量。 各向异性磁阻传感器 AMR（Anisotropic Magneto-Resistive sensors）由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni80 Fe20）薄膜形成电阻。沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻同电流与磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻 Rmax 最大，电流与磁化方向垂直时电阻 Rmin 最小，电流与磁化方向成 θ 角时，电阻可表示为： R Rmin＋Rmax－Rmincos2θ 在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，由 4 个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥，结构如图 1 所示。图 1 中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为 45 度。理论分析与实践表明，采用 45 度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。 无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的 4 个桥臂电阻阻值相同，输出为零。当在磁敏感方向施加如图 1 所示方向的磁场时，合成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大，电阻减小 ΔR；右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大ΔR。通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为： U＝Vb×ΔR/R 式中 Vb 为电桥工作电压，R 为桥臂电阻，ΔR/R 为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度成正比，故 AMR 磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。 商品磁阻传感器已制成集成电路，除图1 所示的电源输入端和信号输出端外，还有 图 1 磁阻电桥复位/反向置位端和补偿端两对功能性输入端口，以确保磁阻传感器的正常工作。 a 磁干扰使磁畴排列紊乱 复位/反向置位的机理可参见图 2。AMR置于超过其线性工作范围的磁场中时，磁干扰可能导致磁畴排列紊乱，改变传感器的输出特性。此时可在复位端输入脉冲电流，通 b 复位脉冲使磁畴沿易磁化轴整齐排列过内部电路沿易磁化轴方向产生强磁场，使磁畴重新整齐排列，恢复传感器的使用特性。若脉冲电流方向相反，则磁畴排列方向反转，传感器的输出极性也将相反。 c 反向置位脉冲使磁畴排列方向反转 从补偿端每输入 5 mA 补偿电流，通过 图 2 置位/反向置位脉冲的作用内部电路将在磁敏感方向产生 1 高斯的磁场。可用来补偿传感器的偏离。 输 出 图 3 为 AMR 的磁电转换特性曲 电 反向置位后的特性曲线 复位后的特性曲线 压线。其中电桥偏离是在传感器制造 毫 / 伏 电桥偏离过程中，4 个桥臂电阻不严格相等带来的，外磁场偏离是测量某种磁场时，外界干扰磁场带来的。不管 外磁场偏离要补偿哪种偏离，都可调节补偿电流，用人为的磁场偏置使图 5 中的 磁感应强度/高斯特性曲线平移，使所测磁场为零时 图 3 AMR 的磁电转换特性输出电压为零。 仪器原理和介绍 ZKY-DCC 磁场实验仪结构如图 4 所示，核心部分是磁阻传感器，辅以磁阻传感器的角度、位置调节及读数机构，赫姆霍兹线圈等组成。本仪器所用磁阻传感器的工作范围为±6高斯，灵敏度为 1mV/V/Gauss。灵敏度表示，当磁阻电桥的工作电压为 1 V，被测磁场磁感应强度为 1 高斯时，输出信号为 1 mV。 磁阻传感器的输出信号通常须经放大电路放大后，再接显示电路，故由显示电压计算磁场强度时还需考虑放大器的放大倍数。本实验仪电桥工作电压 5 V，放大器放大倍数 50，磁感应强度为 1 高斯时，对应的输出电压为 0.25 伏。 赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间的距离 d 正好等于圆形线圈的半径 R。这种线圈的特点是能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场，根据毕奥－萨伐尔定律，可以计算出赫姆霍兹